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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司

  • Beneq C2R--空間原子層沉積ALD

    Beneq C2R 將等離子體增強(qiáng)原子層沉積 （PEALD） 工藝提升到一個(gè)全新的水平 – PEALD 可用于大批量生產(chǎn)。由于采用等離子體增強(qiáng)旋轉(zhuǎn)原子層沉積工藝...
    型號(hào)： 所在地：芬蘭 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/6 7:03:32 對(duì)比

  • 原子層沉積儀器ALD

    用于電池、太陽(yáng)能和柔性電子產(chǎn)品的功能性原子層沉積涂層，是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應(yīng)用的理想選擇。各種類型鋰離子和固態(tài)電池的陰極和陽(yáng)極的鈍化，用于柔性太陽(yáng)...
    型號(hào)： Genesis A... 所在地：臺(tái)北市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:46:58 對(duì)比

  • 8英寸等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

    詳細(xì)介紹Shale® A系列等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD），通過平行電容板電場(chǎng)放電產(chǎn)生等離子體，可以在400℃及以下沉積比較致密、均勻性較...
    型號(hào)： Shale... 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:35:35 對(duì)比

  • 8英寸電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備

    Shale® C系列電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（ICP-CVD），通過電感耦合（ICP）產(chǎn)生高密度等離子體，并通過電容耦合（CCP）產(chǎn)生偏壓，可...
    型號(hào)： Shale... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:33:51 對(duì)比

  • 電容耦合等離子體刻蝕（CCP）設(shè)備

    詳細(xì)介紹CCP腔室適用于制造微納結(jié)構(gòu)的等離子刻蝕技術(shù)。在反應(yīng)離子刻蝕過程中，等離子體中會(huì)包含大量的活性粒子，與表面原子產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成可揮發(fā)產(chǎn)物后，隨真空抽氣...
    型號(hào)： Haasrode&... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:31:59 對(duì)比

  • 8英寸電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備

    詳細(xì)介紹ICP是一種加工微納結(jié)構(gòu)的8英寸電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備。具有刻蝕快、選擇比高、各項(xiàng)異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優(yōu)...
    型號(hào)： Pishow... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:28:05 對(duì)比

  • 原子層沉積

    市場(chǎng)和應(yīng)用用于電池、太陽(yáng)能和柔性電子產(chǎn)品的功能性原子層沉積涂層。 Genesis ALD 是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應(yīng)用的理想選擇。各種類型鋰離子和固態(tài)...
    型號(hào)： 捷尼賽思 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 19:55:57 對(duì)比

  • 超快速、高精度空間原子層沉積鍍膜

    超快速、高精度空間原子層沉積鍍膜Beneq C2R 是我們集群兼容設(shè)備系列的空間 ALD 成員。Beneq C2R 將等離子體增強(qiáng)原子層沉積 （PEALD） 工...
    型號(hào)： 貝內(nèi)克 C2R 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 19:51:59 對(duì)比

  • 原子層沉積研究設(shè)備

    TFS 500 是薄膜鍍膜應(yīng)用的理想選擇。作為第一個(gè) Beneq 反應(yīng)器模型，已被證明是用于深入研究原子層沉積研究和穩(wěn)健批處理的多功能工具。TFS 500 是多...
    型號(hào)： TFS 500 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 19:47:54 對(duì)比

  • 原子層沉積研究設(shè)備

    Beneq TFS 200 是有史以來最靈活的原子層沉積研究平臺(tái)，專為學(xué)術(shù)研究和企業(yè)研發(fā)而設(shè)計(jì)。Beneq TFS 200 經(jīng)過專門設(shè)計(jì)，可最大限度地減少多用戶...
    型號(hào)： TFS 200 所在地：芬蘭 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 19:43:19 對(duì)比

  • ALD

    Beneq Transform 300 是一個(gè)高度通用的制造平臺(tái)，面向致力于 CIS、電源、Micro-OLED/LED、先進(jìn)封裝和其他 MtM 應(yīng)用的 IDM...
    型號(hào)： Beneq Tra... 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 19:25:29 對(duì)比

  • 碳化硅沉積系統(tǒng)

    碳化硅沉積系統(tǒng)G10-碳化硅150 mm 和 200 mm – 支持雙晶圓尺寸 – 為您的未來投資提供保障市場(chǎng)上最高的晶圓產(chǎn)量 / m2市場(chǎng)上晶圓出色的運(yùn)行過程...
    型號(hào)： G10-碳化硅 所在地：德國(guó) 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 19:21:30 對(duì)比

  • 化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)

    化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)“行星式反應(yīng)器模塊，用于在150/200毫米襯底（Si/藍(lán)寶石/SiC）上應(yīng)用氮化鎵，可提高生產(chǎn)率和晶圓性能"
    型號(hào)： AIX G5+ C 所在地：德國(guó) 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 19:12:40 對(duì)比

  • 化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)

    化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)AIX G5 WW C“下一代碳化硅電力電子器件的最佳性能，以應(yīng)對(duì)全球大趨勢(shì)"高吞吐量批量外延與單晶圓控制 - 兩全其美。
    型號(hào)： AIX G5 WW... 所在地：德國(guó) 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 19:08:47 對(duì)比

  • 化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)

    化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)AIX 2800G4-TM （IC2）“基于 GaAs/InP 的光電子學(xué)和射頻應(yīng)用的 HVM 最佳反應(yīng)器"
    型號(hào)： AIX 2800G... 所在地：德國(guó) 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 19:05:13 對(duì)比

  • 金屬有機(jī)源氣相沉積系統(tǒng)

    金屬有機(jī)源氣相沉積系統(tǒng)MOCVD主要由真空室反應(yīng)系統(tǒng)、氣體（載氣與氣相有機(jī)源）輸運(yùn)控制系統(tǒng)、有機(jī)源蒸發(fā)輸運(yùn)控制系統(tǒng)、電源控制系統(tǒng)、尾氣處理及安全保護(hù)報(bào)警系統(tǒng)組成...
    型號(hào)： MOCVD 所在地：沈陽(yáng)市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 19:03:08 對(duì)比

  • 高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)

    產(chǎn)品概述：高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)主要由真空反應(yīng)室、上蓋組件、熱絲架、基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。設(shè)備...
    型號(hào)： 線列式PECVD 所在地：沈陽(yáng)市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 18:59:08 對(duì)比

  • 高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)

    高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)主要由3個(gè)真空沉積室（分別沉積P、I、N結(jié)）、1個(gè)進(jìn)樣室、1個(gè)中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺(tái)、工作氣路、傳送機(jī)械手、抽...
    型號(hào)： Cluster P... 所在地：沈陽(yáng)市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 18:54:49 對(duì)比

  • 高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)

    產(chǎn)品概述：系統(tǒng)主要由3個(gè)真空沉積室（分別沉積P、I、N結(jié)）、1個(gè)進(jìn)樣室、1個(gè)中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺(tái)、工作氣路、傳送機(jī)械手、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、射頻電...
    型號(hào)： PECVD 所在地：沈陽(yáng)市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 18:52:34 對(duì)比

  • 高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積

    高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)主要由真空反應(yīng)室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。本...
    型號(hào)： PECVD 所在地：沈陽(yáng)市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 18:48:50 對(duì)比
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