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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司

當前位置:深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司>>半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備>>3 CVD>> Shale® C 系列8英寸電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備

8英寸電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備

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產(chǎn)品型號Shale® C 系列

品牌魯汶

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地徐州市

更新時間:2025-06-05 21:33:51瀏覽次數(shù):321次

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Shale® C系列電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備(ICP-CVD),通過電感耦合(ICP)產(chǎn)生高密度等離子體,并通過電容耦合(CCP)產(chǎn)生偏壓,可實現(xiàn)低溫、高致密、低損傷、優(yōu)填充能力的薄膜沉積工藝。該設(shè)備采用了8英寸產(chǎn)線設(shè)備所通用的國際標準零部件,符合SEMI的設(shè)計標準,并通過了嚴苛的穩(wěn)定性和可靠性測試驗證。

1. 產(chǎn)品概述

Shale® C系列電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備(ICP-CVD)是一款先進的薄膜沉積設(shè)備,它結(jié)合了電感耦合(ICP)和電容耦合(CCP)技術(shù),為用戶提供了一種高效、可靠的薄膜沉積解決方案。

該設(shè)備通過高密度等離子體的產(chǎn)生,實現(xiàn)了極低的沉積溫度,這不僅能夠保護基材,減少熱損傷,還能確保薄膜的高致密性與優(yōu)異的填充能力。該工藝適用于多種材料的沉積,尤其是在對薄膜質(zhì)量有高要求的應(yīng)用中表現(xiàn)。

此外,Shale® C系列設(shè)備采用了符合國際標準的零部件,這些組件是8英寸產(chǎn)線設(shè)備中的常用標準部件,確保了設(shè)備的兼容性與可維護性。設(shè)備的設(shè)計遵循SEMI的嚴格標準,確保其在半導(dǎo)體行業(yè)中的穩(wěn)定運行及高度可靠。

在產(chǎn)品性能方面,Shale® C系列經(jīng)過了一系列嚴格的穩(wěn)定性和可靠性測試,驗證了其在長時間連續(xù)運行下的表現(xiàn)。這使得該設(shè)備成為制造過程中的理想選擇,適合用于大規(guī)模生產(chǎn)和研發(fā)實驗。

2. 系統(tǒng)特性

可在低溫(<120°C)下沉積高致密薄膜,其致密性不亞于LPCVD在750°C生長的薄膜

可有效降低等離子體損傷,從而降低漏電,漏電流密度與原子層沉積(ALD)制備的薄膜相當

可提供高深寬比薄膜填充工藝

可選8/6英寸電,適用于不同尺寸的晶圓




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