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噴涂膠機
在噴涂法中，噴嘴將要涂抹的溶液噴在晶圓上。經(jīng)過優(yōu)化后的晶圓上方噴嘴移動路徑可以實現(xiàn)在襯底上均勻的涂層。噴涂所用的液體通常粘度極低，以確保形成細小的液滴
型號： AS8 所在地：德國參考價：面議更新時間：2025/6/5 7:23:38 對比

噴涂膠機涂膠顯影
反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE
可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝，兼容200mm以下所有尺寸的晶圓，快速更換到不同尺寸的晶圓工藝，電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400...
型號： customize... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/5 7:21:16 對比

離子刻蝕系統(tǒng)RIE 等離子刻蝕固體激光器 InP刻蝕石英刻蝕 OXFORD
等離子增強化學氣相沉積PECVD
等離子增強化學氣相沉積PECVD(1) 應(yīng)用方向：高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途；用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模...
型號： customize... 所在地：英國參考價：面議更新時間：2025/6/5 7:19:25 對比

氣相沉積化學氣相沉積設(shè)備
槽式濕法刻蝕清洗設(shè)備
槽式濕法刻蝕清洗設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域：RCA清洗，濕法去膠，介質(zhì)層濕法刻蝕，金屬層濕法刻蝕，爐管前清洗等
型號： customize... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 7:15:14 對比

槽式濕法刻蝕清洗設(shè)備 RCA清洗濕法去膠介質(zhì)層濕法刻蝕爐管前清洗
等離子清洗&去膠機
等離子清洗&去膠機產(chǎn)品簡介：1) 用途：材料清洗、材料活化、材料刻蝕、材料涂覆(2) 80 kHz：功率 1000 或 3000 W(3) 13.56 MHz：...
型號： customize... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 7:13:33 對比

等離子清洗&去膠機清洗機去膠
充氮型程控烤膠機
充氮型程控烤膠機產(chǎn)品性能：1.充氮烤膠機是在普通基礎(chǔ)上增加密封蓋和氮氣注入口，保證氮氣均勻通入烤膠機內(nèi)部形成惰性氣體保護氣氛。2.充氮烤膠機最高溫度可達到30...
型號： AC200-PE 所在地：南京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 7:11:03 對比

半導體光刻及涂膠顯影勻膠機烤膠機充氮型程控烤膠機
實驗型勻膠機
實驗型勻膠機技術(shù)參數(shù)：1.適用基片尺寸：小于1cm小碎片及到8寸標準晶圓，非標準基片可定制載物盤2.自動滴膠功能3.支持去邊、背洗、勻膠、顯影、清洗、控溫等功...
型號： customize... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/5 7:09:30 對比

勻膠機實驗型勻膠機勻膠顯影自動滴膠
納米壓印系統(tǒng)
納米壓印系統(tǒng) 簡介：1. 兼容基底尺寸：直徑≤100mm2. 支持基底材料：硅片、玻璃、石英、塑料、金屬等3. 納米壓印技術(shù)：旋涂膠基底高精度壓印&點膠自動找平...
型號： GL6 R&... 所在地：青島市參考價：面議更新時間：2025/6/5 7:07:59 對比

納米壓印系統(tǒng)納米壓印設(shè)備
無掩膜/激光直寫光刻機
無掩膜/激光直寫光刻機參數(shù)：1. 光源：375 nm、385 nm、405 nm 激光器2. 線寬：0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μm3. 光刻效...
型號： UV Litho-... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/5 7:05:50 對比

無掩膜光刻機激光直寫光刻機光通訊芯片光刻功率芯片光刻生物芯片
電子束光刻系統(tǒng)
電子束光刻系統(tǒng) 技術(shù)參數(shù)：1.最小線寬≤8nm光柵周期≤40nm2.50KV加速電壓下，寫場可在0.5μm~500μm的范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)3.肖特基熱場發(fā)射電子束源...
型號： eLINE Plu... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/5 7:04:05 對比

電子束曝光光刻機無掩模光刻
有掩膜光刻機
1.手動、半自動、全自動有掩膜光刻機2.高分辨率掩模對準光刻，特征尺寸優(yōu)于0.5微米3.基片尺寸可滿足4、6、8、12英寸4.經(jīng)過特殊設(shè)計，方便處理各種非標準基...
型號： MA12 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/5 7:02:20 對比

半導體薄膜生長化學氣相沉積設(shè)備氣相沉積鍍膜機氣相沉積

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