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深硅刻蝕設(shè)備
RIE-800BCT是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產(chǎn)型硅DRIE系統(tǒng)。這種高性能系統(tǒng)能夠進行高縱橫比處理（超過100）和低扇形處理，同時保持高蝕刻率和選...
型號： RIE-800BC... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:39:08 對比

深硅刻蝕設(shè)備 RIE-800BCT SAMCO
深硅刻蝕設(shè)備
RIE-802BCT深硅刻蝕設(shè)備是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個反應(yīng)室的量產(chǎn)用硅深孔系統(tǒng)。標準配置有空氣盒和晶圓邊緣保護環(huán)，以及高精度的晶圓對準器。該高...
型號： RIE-802BC... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:36:39 對比

深硅刻蝕設(shè)備 RIE-802BCT SAMCO
等離子體增強CVD系統(tǒng)
PD-100ST是一種用于研發(fā)的低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)等離子體增強CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏...
型號： PD-100ST 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:34:50 對比

等離子體增強CVD系統(tǒng)PD-100ST 化學(xué)氣相沉積 SAMCO
等離子體增強CVD系統(tǒng)
PD-330STC是一種低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等離子體增強CVD系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。Samco的液態(tài)源CVD...
型號： PD-330STC 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:33:16 對比

等離子體增強CVD系統(tǒng)PD-330STC 化學(xué)氣相沉積 SAMCO
等離子體增強CVD系統(tǒng)
PD-270STLC是一種低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等離子體增強CVD系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。Samco的液態(tài)源CV...
型號： PD-270STL... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:31:14 對比

等離子體增強CVD系統(tǒng)化學(xué)氣相沉積 PD-270STLC SAMCO
等離子體增強型CVD系統(tǒng)
PD-200STL是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(300nm/min)等離子體增強型CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液...
型號： PD-200STL 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:29:38 對比

等離子體增強型CVD系統(tǒng)PD-200STL 化學(xué)氣相沉積 SAMCO
化學(xué)氣相沉積等離子體CVD系統(tǒng)
PD-220N是用于沉積各種硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等離子體CVD系統(tǒng)。 PD-220N在提供薄膜沉積所需的全部功能的同時，占地面積比本公司的傳統(tǒng)系統(tǒng)...
型號： PD-220N 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:27:42 對比

化學(xué)氣相沉積等離子體CVD系統(tǒng)PD-220N SAMCO
化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
PD-3800L 化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)。該系統(tǒng)由于采用了大...
型號： PD-3800L 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:25:57 對比

化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)PD-3800L SAMCO
化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)
PD-220NL 是一種負載鎖定等離子體增強化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)以非常緊湊的占地面積...
型號： PD-220NL 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:24:20 對比

化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)PD-220NL SAMCO
無針孔薄膜沉積設(shè)備
AL-1無針孔薄膜沉積設(shè)備通過交替向反應(yīng)室提供有機金屬原料和氧化劑，僅利用表面反應(yīng)沉積薄膜，實現(xiàn)了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數(shù)量...
型號： AL-1 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:21:55 對比

AL-1 無針孔薄膜沉積設(shè)備 SAMCO
化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 設(shè)備
PD-2201LC 是一種盒式裝載等離子體增強化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 設(shè)備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)在節(jié)省空間的提下提...
型號： PD-2201LC 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:20:17 對比

PD-2201LC 化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 設(shè)備 SAMCO
濺射系統(tǒng)
iTops PVD ITO 濺射系統(tǒng)，加熱能力、精確的溫度控制、優(yōu)異的真空能力.高晶體質(zhì)量的氮化鋁薄膜及優(yōu)異的薄膜厚度均勻性。
型號： iTops PVD... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:14:29 對比

濺射系統(tǒng)iTops PVD ITO 北方華創(chuàng)
濺射系統(tǒng)
iTops PVD AlN 濺射系統(tǒng)，采用托盤形式，可兼容 2/4/6 英寸,工藝溫度在 0~700℃之間。
型號： iTops PVD... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:12:03 對比

濺射系統(tǒng)iTops PVD AlN 北方華創(chuàng)
芯片刻蝕機
ELEDE® 380系列芯片刻蝕機，優(yōu)良的等離子體發(fā)生裝置，適用多種材料刻蝕，工藝窗口寬。
型號： ELEDE... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:09:50 對比

芯片刻蝕機 ELEDE® 380系列北方華創(chuàng)
高密度等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
Orion Proxima 高密度等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)。
型號： Orion Pro... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:00:36 對比

Orion Proxima 高密度等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)北方華創(chuàng)
12英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)
Polaris系列 12英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)，磁控濺射源和腔室結(jié)構(gòu)的設(shè)計有效提高靶材利用率。
型號： Polaris系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:58:26 對比

Polaris系列 12英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)北方華創(chuàng)
8英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)
Polaris系列8英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)，多種材料膜層工藝能力，低損傷，高深寬比填充能力。
型號： Polaris系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:56:12 對比

Polaris系列 8英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)北方華創(chuàng)
鋁物理氣相沉積系統(tǒng)
eVictor Al PVD 鋁物理氣相沉積系統(tǒng)，優(yōu)良的磁控濺射系統(tǒng)，有效提高薄膜均勻性及靶材利用率。
型號： eVictor A... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:54:10 對比

鋁物理氣相沉積系統(tǒng)eVictor Al PVD 北方華創(chuàng)
高密度刻蝕機
GDE C200系列高密度刻蝕機，等離子體源和頻率設(shè)計，等離子體密度高，適用于強鍵合材料刻蝕。
型號： GDE C200系... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:51:45 對比

GDE C200系列高密度刻蝕機北方華創(chuàng)
ICP 刻蝕機
NMC 508系列 ICP刻蝕機是電感耦合高密度等離子體（Inductively Coupled Plasma, ICP）干法刻蝕機，具有高精度、高選擇性和高效...
型號： NMC 508系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:50:11 對比

ICP刻蝕機 NMC 508系列北方華創(chuàng)

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