1. 產品概述

等離子增強化學氣相沉積PECVD

2. 應用方向

高質量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學、電介質層、鈍化以及諸多其它用途；用于高亮度LED生產的硬掩模沉積和刻蝕

3. 技術參數

(1) 電阻絲加熱電極，最高溫度可達400°C或1200°C

(2) 實時監(jiān)測清洗工藝， 并且可自動停止工藝

(3) 晶圓最大可達200mm，可快速更換硬件以適用于不同尺寸的晶圓

(4) 高導通的徑向（軸對稱）抽氣結構：確保提升了工藝均勻性和速率

(5) 增加了<500毫秒的數據記錄功能：可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄

(6) 通過前端軟件進行設備故障診斷，故障診斷速度快

(7) 用干涉法進行激光終點監(jiān)測：在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來確定非透明材料 (如金屬) 的邊界

(8) 用發(fā)射光譜（OES）實現較大樣品或批量工藝的終點監(jiān)測：監(jiān)測刻蝕副產物或反應氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點監(jiān)測

4. 企業(yè)簡介

深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術服務的高新技術企業(yè)。

致力于提供半導體制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導體分析測試設備、半導體光電測試儀表及相關儀器裝備維護、保養(yǎng)、售后技術支持及實驗室整體服務。

公司已授實用新型權利 29 項，軟件著作權 14 項，是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。