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迈可诺技术有限公司
主营产品： 美国Laurell匀胶机,WS1000湿法刻蚀机,Cargille光学凝胶,EDC-650显影机,NOVASCAN紫外臭氧清洗机 |
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阅读：156 发布时间：2020/11/11
绝缘体上硅(SOI)晶片广泛用于MEMS微机电系统和CMOS集成电路制造。在MEMS微机电系统中，掩埋氧化物可实现具有*特性的悬浮膜。本应用中，在370-1020纳米的光谱范围内，使用红外扫描仪FR-Scanner对4英寸的硅化硅晶片的三层厚度进行测绘。通过旋转载物台和在顶部线性移动光学头(极性扫描)高速扫描测样品，并且不弯曲反射探针。扫描时间持续不到30秒，在(R，θ)位置测了169个随机点。图中，随机点上所有层的典型记录反射光谱(黑线)和拟合反射光谱(红线)，如在FR-Monitor监测软件上所见，与每层的映射轮廓一起显示。
