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邁可諾技術有限公司
主營產品： 美國Laurell勻膠機,WS1000濕法刻蝕機,Cargille光學凝膠,EDC-650顯影機,NOVASCAN紫外臭氧清洗機 |
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閱讀：578 發(fā)布時間：2021/02/01
光刻是通過光照射投影的方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結構圖形刻在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學反應，從而生成電路圖。利用旋涂技術，將光刻膠均勻涂布在硅片表面
通過掩模曝光后，曝光部分的光刻膠會發(fā)生化學反應，大的光刻膠分子分解成較小的分子。下一步顯影，將硅片浸入有機溶劑中以除去已曝光光刻膠區(qū)域，溶劑僅溶解在曝光過程中產生的小分子，后使用兩種方法將圖案轉移到硅片上。一種方法是蝕刻，將硅片從蝕刻后未涂覆光刻膠的圖案區(qū)域化學去除，去除剩余的光刻膠以揭示蝕刻到硅片表面的圖案。另一種方法是剝離，其中在整個硅片上沉積金屬層，然后去除光刻膠，使金屬與之成為wei一的區(qū)域。金屬涂層是所需的圖案，其中在顯影步驟中先前已除去了光刻膠。
