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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司

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低溫ICP-RIE等離子體刻蝕系統(tǒng)

參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號SENTECH SI 500 C

品牌SENTECH

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地德國

更新時間:2025-06-06 08:47:43瀏覽次數(shù):478次

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SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)代表了電感耦合等離子體 (ICP) 處理的前沿技術(shù),其最寬溫度范圍為 -150 °C 至 150 °C。 該工具包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個動態(tài)溫控基板電極、一個受控的真空系統(tǒng)和一個非常易于操作的用戶界面。靈活性和模塊化是設(shè)計特點(diǎn)。該系統(tǒng)可以配置為處理各種精細(xì)結(jié)Si, SiO2, Si3N4, GaAs和InP

1. 產(chǎn)品概述:

SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)代表了電感耦合等離子體 (ICP) 處理的前沿技術(shù),其最寬溫度范圍為 -150 °C 至 150 °C。 該工具包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個動態(tài)溫控基板電極、一個受控的真空系統(tǒng)和一個非常易于操作的用戶界面。靈活性和模塊化是設(shè)計特點(diǎn)。該系統(tǒng)可以配置為處理各種精細(xì)結(jié)Si, SiO2, Si3N4, GaAs和InP

2. 低損傷等離子體蝕刻

由于離子能量低和離子能量分布窄,因此可以使用SENTECH ICP蝕刻工具進(jìn)行低損傷蝕刻和納米結(jié)構(gòu)。

3. 使用低溫加工的深硅蝕刻

電感耦合 SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)設(shè)計用于硅的低溫蝕刻以獲得光滑的側(cè)壁、室溫下的硅蝕刻以及使用氣體切碎工藝的深硅蝕刻,應(yīng)用在流體學(xué)、傳感器、光電子學(xué)、光子學(xué)和量子技術(shù)中。

4. SENTECH專有的等離子體源技術(shù)

SENTECH 平面三重螺旋天線 (PTSA) 是一種ICP 等離子體源。PTSA 源產(chǎn)生具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體,適用于傳感器和量子點(diǎn)的低損傷蝕刻。它具有高耦合效率和非常好的點(diǎn)火性能,適用于處理各種材料和結(jié)構(gòu)。

5. 動態(tài)溫度控制

等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設(shè)置和穩(wěn)定性是高質(zhì)量蝕刻的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。具有動態(tài)溫度控制功能的襯底電極與氦氣背面冷卻和襯底背面溫度傳感相結(jié)合,可在很寬的溫度范圍內(nèi)提供出色的工藝條件。通常,低溫電極使用液氮冷卻,但是,低溫電極也可用于使用冷卻器進(jìn)行室溫處理。有一個選項可用于在低溫蝕刻和室溫蝕刻之間自動切換。

6. 靈活性和模塊化

150 mm晶圓到直徑200 mm的各種襯底,以及載體上的襯底,都可以通過SENTECH SI 500 Ccrogenic ICP-RIE等離子蝕刻系統(tǒng)中內(nèi)置的靈活負(fù)載鎖來處理。單晶圓真空負(fù)載鎖定保證了穩(wěn)定的工藝條件,并允許直接切換工藝。

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SENTECH 集群系統(tǒng)包括等離子體蝕刻和/或沉積模塊、一個轉(zhuǎn)移室和一

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