1.產(chǎn)品概述：

HSE M200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蝕工藝?？梢耘渲檬謩蛹白詣觽鬏斚到y(tǒng)。產(chǎn)品配置高密度雙立體等離子體源，中心邊緣進氣，快速氣體切換，低頻脈沖下電極系統(tǒng)，可以實現(xiàn)高速、高深寬比、高均勻性及極小的側壁粗糙度。HSE P300主要用于12英寸硅刻蝕。采用Cluster結構布局，能夠減小占地，提升產(chǎn)能。系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、灰區(qū)部件、電源柜等組成?？蓪崿F(xiàn)自動化地上下料及自動工藝。

2.設備應用：

  HSE M200

晶圓尺寸:

8英寸及以下

適用材料:

硅、SOI、SOG

適用工藝:

深硅刻蝕

適用領域:

微機電系統(tǒng)、科研領域

HSE P300

晶圓尺寸:

8/12英寸兼容

適用材料:

硅、氧化硅、氮化硅

適用工藝:

深槽刻蝕、深孔刻蝕、扇出型封裝硅載體刻蝕、露銅刻蝕等

適用領域:

先進封裝

 3.設備特點

HSE M200

雙等離子源和雙區(qū)進氣，保證高刻蝕均勻性和高刻蝕速率

兼容性強，工藝種類多樣，應用領域廣泛，系統(tǒng)可靠性強

靈活的系統(tǒng)配置，適合研發(fā)、中試線、大規(guī)模生產(chǎn)線的不同應用

低擁有成本和運營成本

HSE P300

使用立體高密度等離子源，大幅提升刻蝕速率

雙等離子源和雙區(qū)進氣，確保較高的均勻性

全自動化軟件控制，高產(chǎn)能

低擁有成本和運營成本