1. 产品概述：
Tebaank® Pishow® P 硅刻蚀设备是面向8英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）以及传输?？椋╰ransfer module）构成
适用于0.11微米及其它技术代的多晶硅栅（poly gate）、侧墙（spacer）、浅沟槽隔离（STI）工艺
2. 工艺数据
3 μm Trench
0.4 μm Trench
0.25 μm Trench
2 μm Poly
0.18 μm Poly
3. 详细介绍
Tebaank® Pishow® P 硅刻蚀设备，为8英寸IC产线上栅工艺的多腔式量产型设备，拥有自主开发的优化设计， 保证了优异的刻蚀均匀性（片内<5%，片间<5%）和颗粒控制。提供AA、gate、STI、spacer、W recess等各项工艺的刻蚀解决方案。该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可为客户产能升提供帮助。
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