1 產(chǎn)品概述:

      干法刻蝕是一種利用物理或物理與化學相結(jié)合的方法，通過高能氣體分子或離子束轟擊固體表面，使材料發(fā)生化學反應(yīng)或物理濺射，從而去除不需要的部分，實現(xiàn)高精度的加工過程。干法刻蝕在半導體制造、微納加工、光學加工等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用，是芯片制造中的關(guān)鍵技術(shù)之一。

2 設(shè)備用途：

干法刻蝕設(shè)備主要用于以下領(lǐng)域：

1. 半導體制造：在半導體芯片制造過程中，干法刻蝕被用于去除硅片表面的多余材料，形成精確的電路圖形。這是半導體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一，直接影響芯片的性能和良率。

2. 微納加工：干法刻蝕機在微納加工中扮演著重要角色，能夠制作出微米和納米級別的精細結(jié)構(gòu)，如微型天線、納米光子晶體、微結(jié)構(gòu)電極等。

3. 光學加工：在光學領(lǐng)域，干法刻蝕機被用于制作高精度、高質(zhì)量的光學元件，如微型透鏡、激光反射面、偏振器件、光通訊器件等。

3 設(shè)備特點

干法刻蝕設(shè)備具有以下特點：

1. 高精度：干法刻蝕能夠?qū)崿F(xiàn)微米甚至納米級別的加工精度，滿足高精度加工的需求。

2. 高選擇比：干法刻蝕在刻蝕過程中能夠精確控制不同材料的刻蝕速率，實現(xiàn)高選擇比刻蝕，減少對其他材料的損傷。

3. 各向異性好：干法刻蝕技術(shù)能夠產(chǎn)生垂直度高的側(cè)壁，有利于形成精確的圖形結(jié)構(gòu)。

4. 刻蝕損傷小：相比濕法刻蝕，干法刻蝕在刻蝕過程中產(chǎn)生的損傷較小，有利于保護底層材料。

4 技術(shù)參數(shù)和特點：

  NLD用于與ICP方式相比更低壓、高密度、更低電子溫度等離子體的石英、玻璃、水晶、LN/LT基板的加工。

•高硬玻璃、硼硅酸玻璃等不純物的多種玻璃加工，在形狀或表面平滑性方面有優(yōu)異的刻蝕性能。

•石英及玻璃作為厚膜resist mask時的也可實現(xiàn)深度刻蝕（100μ m以上）。

•可實現(xiàn)高速刻蝕（石英＞1μ m/min、Pyrex＞0.8μ m/min）