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邁可諾技術(shù)有限公司

主營(yíng)產(chǎn)品: 美國(guó)Laurell勻膠機(jī),WS1000濕法刻蝕機(jī),Cargille光學(xué)凝膠,EDC-650顯影機(jī),NOVASCAN紫外臭氧清洗機(jī)

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    MC方案|在大面積上表征薄膜厚度均勻性

    2019-4-9 閱讀(2014)

    ThetaMetrisis Application Note 0261.bmp

    通過(guò)白光反射光譜(WLRS)和FR映射器繪制薄膜厚度              

    目標(biāo):在大面積上表征薄膜厚度均勻性。

     

    測(cè)量方法:采用Fr-Basic與Fr-Mapper相結(jié)合的方法,在大面積的預(yù)定點(diǎn)上快速、準(zhǔn)確地測(cè)量薄膜厚度。當(dāng)樣品固定在一個(gè)Fr-Mapper上時(shí),所有的測(cè)量都用一個(gè)Fr-Basic進(jìn)行調(diào)節(jié),使其在540-1000納米的光譜范圍內(nèi)工作。反射探頭的有效光斑直徑為0.5毫米。樣品是涂有SiO2(熱的或TEOS)和Si3N4(LPCVD)/SiO2(熱的)4英寸硅晶片。在參考測(cè)量中,使用了高反射鍍鋁鏡(NT01-913-533,Edmund光學(xué))。

     

    結(jié)果:在圖1中,顯示了硅晶片(藍(lán)色)上的掃描區(qū)域(紅色)。有意地將6x6cm2掃描區(qū)域的中心向左下角移動(dòng)。圖2a顯示了Teos SiO2的厚度值。在兩個(gè)軸上以2毫米的步幅測(cè)量薄膜厚度(總共961次測(cè)量)。計(jì)算平均厚度為635.07nm,標(biāo)準(zhǔn)差為4.24nm。小厚度為623.13nm,大厚度為641.35nm。在圖2b中,顯示了相同掃描區(qū)域熱生長(zhǎng)SiO2(濕氧化)的膜厚值。在兩個(gè)軸上以2毫米的步幅測(cè)量厚度(總共961次測(cè)量)。平均厚度為697.29nm,標(biāo)準(zhǔn)差為0.93nm。小厚度為697.22nm,大厚度為701.32nm。熱生長(zhǎng)SiO2的薄膜厚度變化明顯較小,而且薄膜厚度梯度呈現(xiàn)徑向?qū)ΨQ性,而Teos薄膜則并非如此。圖3顯示了Si3N4/SiO2疊層中的膜厚值。

    360截圖16421101445770.jpg

    360截圖16640322117156148.jpg

     

    結(jié)論:Fr-Mapper與Fr-Basic連接,在單層和多層膜厚測(cè)繪中取得了成功。

     

    FR-pRo.bmp

    Fr-Basic



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