熱原子層沉積技術(shù)，面積可達 37 平方厘米

大尺寸臺式熱原子層沉積系統(tǒng)

· 37 平方厘米邊的面板用鋁制腔體(Gen2型)

· 適用于8片六英寸晶圓或4片八英寸晶圓，且具有很好的均勻性(其他晶圓尺寸可以定制)

· 加熱式4端口前體管路(可定制)

· 采用內(nèi)置高功率線圈加熱器進行腔室加熱，最高溫度可達275°C

· 集直接控制與遠程筆記本控制功能于一體的 PLC/人機界面系統(tǒng)

· 具有MFC集成腔室關(guān)閉閥的快速響應(yīng)情性氣體吹掃流量控制裝置，適用于高暴露(靜態(tài))生長模式選項

· 所有為符合半導體S2標準和NFPA-79準則要求而進行的硬件及軟件方面的更新

· 符合半導體S2標準

· 額外的緩慢降泵選項

· 可選的前驅(qū)體溫度檢測，具有實時反饋和脈沖持續(xù)時間控制功能

· 可選的可燃氣體罐重量追蹤功能，搭配內(nèi)置液晶顯示屏使用

ALD 設(shè)備的工作原理

 原子層沉積(ALD)系統(tǒng)由幾個核心組件構(gòu)成:前驅(qū)體源及其反應(yīng)物閥門、帶有溫度控制平臺(或夾具)的反應(yīng)腔、惰性氣體以及真空系統(tǒng)(或吹掃系統(tǒng))。該過程會交替進行前驅(qū)體和反應(yīng)物的引入，每次只引入一種，其間會有一個吹掃步驟。這樣可以防止前驅(qū)體在氣相中發(fā)生反應(yīng)，從而確保僅進行表面特定的反應(yīng)。其結(jié)果是每個循環(huán)中形成一層單分子沉積，從而在原子尺度上實現(xiàn)了對薄膜生長的控制。該反應(yīng)具有自限性，這意味著一旦前驅(qū)體與表面發(fā)生反應(yīng)并填充了可用的活性位點(對于氧化物、羥基等)，反應(yīng)就無法再繼續(xù)進行。

 安瑞克技術(shù)公司開發(fā)的臺式原子層沉積系統(tǒng)操作簡便、易于維護，具備優(yōu)良的散熱管理功能、可定制的等離子體源以及軟件驅(qū)動的自動化功能，能夠支持熱增強型和等離子體增強型原子層沉積工藝。這些工具具有可擴展性--從與手套箱兼容的實驗臺設(shè)備到完整的 12英寸晶圓系統(tǒng)--并且經(jīng)過精心設(shè)計，以實現(xiàn)最高的工藝穩(wěn)定性、易用性，并能融入各種實驗室環(huán)境。

應(yīng)用領(lǐng)域

安瑞克技術(shù)公司ALD 技術(shù)是下一代半導體、儲能設(shè)備、光電子器件以及生物相容性材料發(fā)展的重要基礎(chǔ)。其能夠?qū){米結(jié)構(gòu)進行均勻覆蓋的特性使其在以下領(lǐng)域中至關(guān)重要:

· 用于柵極介電層和阻擋層的微電子學及微機電系統(tǒng)技術(shù)

· 用于電極和電解質(zhì)涂層的固態(tài)電池和超級電容器

· 光柵、透鏡和光子結(jié)構(gòu)上的光學涂層

· 催化作用與燃料電池的開發(fā)，其中原子層沉積技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)可控的表面改性

· 需要具有耐腐蝕性且生物惰性的薄膜的生物醫(yī)學設(shè)備

· 易降解材料的表面鈍化與封裝處理

隨著該行業(yè)朝著更小、更快、更高效的設(shè)備方向發(fā)展，原子層沉積技術(shù)的重要性也與日俱增。

客戶案例

*100多家用戶，多家重復(fù)購買的用戶：

? 哈佛大學

? 赫爾辛基大學（Professor Mikko Ritala and Matti Putkonen）

? 泛林集團 (LAM) （6臺以上）

? 牛津大學（2臺以上， Prof Sebastian Bonilla）

? 國立材料科學研究所(日本，多臺)

? 東京大學(多臺)

? 早稻田大學(多臺)

? 西北大學(美國)

? 劍橋大學(英國)

? 萊斯大學

? 英屬哥倫比亞大學(加拿大)

? ENS-Paris(法國、高等師范學院)

? 北京量子研究院

? 北京大學

? 布里斯托大學（英國）

? 謝菲爾德大學等等

重復(fù)購買客戶的具體應(yīng)用

1.  早稻田大學 (Waseda University) (日本東京) - 傳感器、表面改性、納米壓印光刻、*通孔制造 (AIST) – 日本茨城縣

2.  早稻田大學 (Waseda University) (日本東京) – 系統(tǒng) #2；類似應(yīng)用。日本神奈川縣橫濱國立大學 (Yokohama National University)

3. 國立材料科學研究所 (NIMS) #1 (日本茨城縣) - 表面和薄膜中的聲子；原子尺度低維等離激元學；納米材料中的自旋軌道分裂

4. 國立材料科學研究所 (NIMS) #2 (日本茨城縣) - 碳納米管中的自旋相關(guān)輸運；納米間隙制造和分子輸運；石墨烯中的帶隙工程；有機晶體管

5. 私人公司 (Private Company) (美國俄勒岡州波特蘭) - TEM 樣品制備；HfO2, Al2O3, Ta2O5

6. Precision TEM (美國加利福尼亞州圣克拉拉) - TEM 樣品制備；HfO2, Al2O3

7. 私人公司 TK (Private Company TK) (日本宮城縣) - TEM 樣品制備

8. 私人公司 (Private Company) (美國俄勒岡州波特蘭) - TEM 樣品制備；HfO2, Al2O3, Ta2O5

9. 東京大學 (University of Tokyo) (日本) – * ALD 工藝

10. 東京大學 (University of Tokyo) – 日本東京 – Dr. Onaya

11. 泛林集團 (LAM Research) – 美國俄勒岡州圖瓦拉丁 (Tualatin)

12. 泛林集團 (LAM) 系統(tǒng) #2 – 美國俄勒岡州圖瓦拉丁

13. 泛林集團 (LAM) 系統(tǒng) #3 – 美國俄勒岡州圖瓦拉丁

14. 牛津大學 (University of Oxford) – 英國牛津 - Prof Sebastian Bonilla

15. 德島大學 (Tokushima University) (日本)

16. 赫爾辛基大學 (University of Helsinki) (芬蘭) Professor Mikko Ritala and Matti Putkonen

17. 應(yīng)用材料公司 (AMAT - Applied Materials) – 美國

18. 牛津大學 (University of Oxford) (英國牛津)