极其强大的优良研究工具

设计用于适应特定的薄膜应用，如 GMR、CMS、半导体、纳米级器件、光子学和光伏

系统设计可以配置为真正的超高真空性能

经过现场测试和验证的设计

真空室

• 适应性强的腔室、底板和基板选项

• 18“ D x 15" H 不锈钢工艺室

基板处理

• 旋转基板，适用于最大 150 毫米（6 英寸）基板

• 使用石英灯加热器将基板加热至800°C

• 单晶圆或多晶圆负载锁定，带手动或计算机控制的样品转移

• 高精度PID温度控制回路（配备基板加热时）

泵送和测量

• 1500 l/s 低温泵

• 宽量程真空计，atm 至 1x10-10托

• 高精度闭环压力控制（溅射应用的上游和下游）

沉积源

• 气动源和基板百叶窗

• 可配置六个或更多磁控沉积源

• 交叉污染屏蔽（如适用）

质量与安全

• 计算机控制，手动或全自动操作

• 提供 CE 标志、UL 列表、CSA、NRTL 和其他行业认可的测试认证

• 挤压铝框架，带外壳板

• 单业务分接配电?？?/p>

基板处理

• 旋转基板，适用于最大 200 毫米（8 英寸）基板

• 用于样品清洁的基质偏置（通常是射频等离子体，用于去除天然氧化层）

• 沉积过程中的衬底偏置会影响薄膜微观结构的特征（如晶体取向），提高薄膜致密化，促进薄膜粘附力，并促进提高共溅射合金薄膜的薄膜均匀性

• 使用元件式加热器将基板加热至1100°C

• 基板冷却（液体和/或 LN2）

• 用于涂覆基材两侧的样品翻转夹具

• 薄膜成型工具（刀片安装在高精度计算机控制臂上）

• 基板上的可转位磁场

• 原位薄膜分析（光学过程监测仪、RHEED 或光谱椭偏仪）