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廣西師范大學反應離子刻蝕機順利驗收
  • 發(fā)布時間2022-10-08
  • 播放次數(shù)321次
視頻簡介

廣西師范.png

近日,NANO-MASTER工程師至廣西師范大學,順利安裝驗收NRE-3000RIE反應離子刻蝕系統(tǒng)!


微信圖片_2022091715382712.jpg微信圖片_2022091715382712.jpg

詳細參數(shù):

1.      腔體:10"直徑的圓柱形腔體;陽極氧化鋁材質,抗腐蝕性強;上下蓋設計,氣動升降頂蓋,一鍵實現(xiàn)上蓋的開啟/閉合;淋浴頭設計,最佳的氣流均勻分布

2.      樣品臺:4"樣品臺;冷卻功能;偏壓功能,支持各向異性的垂直刻蝕;

3.      質量流量控制器:4路氣體,每路包含MFC、氣動截止閥和不銹鋼管路氣體

4.      真空系統(tǒng):分子泵與機械泵,4分鐘內可達10-4Torr的高工藝真空度,12小時抽氣后,干凈腔體中的壓力可達極限真空6x10-7 Torr;分子泵與工藝腔體采用直連設計方案,具有最佳的真空傳導率

5.      射頻電源:13.56MHz,300W,反射功率≤5W,配套自動調諧器,穩(wěn)定輸出功率為95%

6.      控制系統(tǒng):Lab View軟件控制;四級密碼授權訪問;壓力、流量、功率等主要參數(shù)指標實時顯示;20"的監(jiān)控屏幕

7.      系統(tǒng)信息:26"×26"占地面積;鋁質柜體;*的安全聯(lián)鎖

8.      主要工藝參數(shù)

           (1)應用范圍:有機物刻蝕、硅的化合物刻蝕、光刻膠去膠等;

           (2)工藝參數(shù):4"片為:

           (3)刻蝕均勻性優(yōu)于:+/-3%;

           (4)Si3N4的刻蝕速率:≥50nm/min;

           (5)對PR選擇比:≥1.5:1;

           (6)陡直度:≥82°;

           (7)SiO2的刻蝕速率:≥40nm/min;

           (8)對PR選擇比:≥1.5:1;

            (9)陡直度:≥85°。


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