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NLD-3500（A）全自動原子層沉積設備：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體...

NLD-3500（M）原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的...

NLD-4000（A）全自動原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體...

NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的...

NLD-3000原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性...

NPE-4000（ICPA）全自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達6" 基片...

NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片...

NPE-4000（A）全自動PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋...

NPE-4000（M）PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電...

NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或...

NPE-3000 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或...

NSC-4000（A）全自動磁控濺射系統(tǒng)：立式自動系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（Z高可加熱到700度）功能，Z大到6“旋轉平臺，Z大可支持到4個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配...

NSC-4000（M）磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達到到8“旋轉平臺，支持到4個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達1...

NSC-3500（A）全自動磁控濺射系統(tǒng)：立式自動系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達6“旋轉平臺，支持到4個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵...

NSC-3500（M）磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達8“旋轉平臺，支持到3個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達10-...

NSC-3000（A）全自動磁控濺射系統(tǒng)：臺式自動系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達6“旋轉平臺，支持到3個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵...

NSC-3000（M）磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達6“旋轉平臺，支持到3個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達10-...

NSC-1000磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達6“旋轉平臺，支持到2個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7 T...

LSC-5000全自動兆聲大基片濕法去膠系統(tǒng)：Nano-Master兆聲大基片濕法刻蝕系統(tǒng)提供高可重復性、高均勻性及的兆聲清洗、兆聲輔助下光刻膠剝離，以及濕法刻...

LSC-4000兆聲大基片濕法去膠清洗系統(tǒng)：Nano-Master兆聲大基片濕法刻蝕系統(tǒng)提供高可重復性、高均勻性及的兆聲清洗、兆聲輔助下光刻膠剝離。它是集成式的...