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迈可诺技术有限公司
主营产品： 美国Laurell匀胶机,WS1000湿法刻蚀机,Cargille光学凝胶,EDC-650显影机,NOVASCAN紫外臭氧清洗机 |
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主营产品： 美国Laurell匀胶机,WS1000湿法刻蚀机,Cargille光学凝胶,EDC-650显影机,NOVASCAN紫外臭氧清洗机 |
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mr-NIL212FC-100nm纳米压印光刻胶 mr-NIL212FC 系列 简单介绍：光刻胶mr-NIL212FC 系列——专为高精度软紫外纳米压印设计的革命性解决方案 产品核心优势： 快速固化技术（FC）：专为 200 nm 以下微细结构 优化，即使低强度紫外光源（如 LED）也能实现高效固化，显著提升生产效率。 Excellence刻蚀稳定性：相比标准型号（mr-NIL210），对 SiO? 等难刻蚀基材 的兼容性更强，图案转移精度更高。 PDMS 印章最佳搭 产品型号：mr-NIL212FC-100nm 所在地：武汉市 更新时间：2025-07-02 |
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mr-NIL212FC德国纳米压印光刻胶 简单介绍：高分辨率：支持 ＜100 nm 结构压?。ㄈ鏼r-NIL212FC可实现200nm柱阵列）。 量产适配： UV-NIL：室温低压（＜100 mbar），适合大面积和连续生产（R2R）。 T-NIL：热塑性/热固性 可选，平衡效率与稳定性。 工艺灵活性： 可搭配 LOR 光刻胶实现金属纳米结构剥离（Lift-off）。 通过 SiPOL 硅含量树脂实现图案放大，用于深槽刻蚀。 产品型号：mr-NIL212FC 所在地：武汉市 更新时间：2025-07-02 |
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EtchantsTransene二氧化硅 (SiO?) 蚀刻液 光刻胶 简单介绍：Transene二氧化硅 (SiO?) 蚀刻液 光刻胶，高纯度缓冲HF蚀刻剂，适用于热生长或沉积的二氧化硅薄膜。Transene二氧化硅蚀刻剂是半导体应用的理想选择，它能够最小化蚀刻不足的情况，并具有广泛的兼容性。缓冲氧化物蚀刻剂标准发货时不含表面活性剂。可根据要求添加非PFAS表面活性剂。 产品型号：Etchants 所在地：武汉市 更新时间：2025-07-02 |
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??TransistKemLab光刻胶 简单介绍：KemLab光刻胶 TRANSIST系列产品与大多数湿法蚀刻液具有出色的兼容性，为微电子应用提供可靠、高分辨率的解决方案。TRANSIST提供正性和负性两种工作方式的光敏抗蚀剂， 产品型号：??Transist 所在地：武汉市 更新时间：2025-07-02 |
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mr-NIL200-100nm纳米压印光刻胶 mr-NIL200 系列 简单介绍：纳米压印胶 mr-NIL200 系列——专为高精度图案转移设计的紫外光固化解决方案。自粘附配方，无需底涂，专为硬质印章（石英/OrmoStamp®）设计。 产品型号：mr-NIL200-100nm 所在地：武汉市 更新时间：2025-07-02 |
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mr-NIL210-100nm纳米压印光刻胶mr-NIL210系列 简单介绍：mr-NIL210系列是一款专为软紫外纳米压印技术（soft UV-NIL）设计的光固化纳米压印胶，特别适配于PDMS类软质印章材料（推荐使用Shin-Etsu的KER-4690 PDMS印章）。其高精度、易操作的特性，使其成为图案转移工艺中理想的蚀刻掩模材料。 产品型号：mr-NIL210-100nm 所在地：武汉市 更新时间：2025-07-02 |
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PKP-308PIKemLab负性光刻胶 简单介绍：美国KemLab负性光刻胶 PKP-308PI 具有改进的分辨率、附着力、耐蚀刻性、低针孔密度，是负性光刻胶中综合性能最佳的选择。在使用过程中无需对光刻胶进行膜过滤?？墒迪治⒚准侗鸬姆直媛?，且在生产中光刻胶工艺能保持高度可重复性。 产品型号：PKP-308PI 所在地：武汉市 更新时间：2025-07-02 |
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HARE SQ美国KemLab负性光刻胶 简单介绍：美国KemLab负性光刻胶 HARE SOTM是一种基于环氧树脂的负型光阻，专为聚合物MEMS、微流体、微机械加工以及其他微电子应用而设计。 产品型号：HARE SQ 所在地：武汉市 更新时间：2025-07-02 |
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KLT5300美国KemLab正性光刻胶 简单介绍：美国KemLab正性光刻胶 KLT 5300是一种专为i-Line、g-Line和宽带应用优化的正型光阻。KLT 5300具有高灵敏度和高吞吐量，适用于集成电路制造。 产品型号：KLT5300 所在地：武汉市 更新时间：2025-07-02 |
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KLT 6000KemLab 正性光刻胶 简单介绍：KemLab 正性光刻胶 KLT 6000 ，适用于 i-Line、宽带或 g-Line 曝光。 产品型号：KLT 6000 所在地：武汉市 更新时间：2025-07-02 |
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GM1010/GM1020/GM1075EM Resist SU-8负性抗蚀剂 简单介绍：EM Resist SU-8负性抗蚀剂产品，非常适合半导体应用。我们的产品有各种形式和厚度范围。 典型的SU-8过程包括以下步骤： 基板准备 旋涂 松弛时间以提高表面均匀度 软烤 曝光后烘烤 发展历程 冲洗并干燥 可选硬烤 产品型号：GM1010/GM1020/GM1075 所在地：北京市 更新时间：2025-07-02 |
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纳米压印光刻胶 简单介绍：公司拥有齐全的纳米系列压印胶材料，热压型纳米压印胶、热塑型纳米压印胶、紫外光固化型纳米压印胶、紫外光固化纳米压印和光刻两用胶、举离型传递层材料、刻蚀型传递层材料、各种与纳米压印技术相关的化学药品，如模板防粘剂、基片增粘剂等。 产品型号： 所在地：北京市 更新时间：2025-07-01 |
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2035/2050/2075/2100光刻胶SU-8 2000 简单介绍：SU-8 2000是一种高对比度，基于环氧的光致抗蚀剂，设计用于微加工和其他微电子应用，需要厚，化学和热稳定的图像。 SU-8 2000是SU-8的改进配方，多年来已被MEMS生产商广泛使用。使用更快干燥，极性更大的溶剂系统可改善涂层质量并提高工艺产量。 SU-8 2000有十二种标准粘度。通过单道涂覆工艺可以实现0.5至 200微米的膜厚。使膜的暴露的和随后热交联的部分不溶于液体显影剂。 产品型号：2035/2050/2075/2100 所在地：北京市 更新时间：2025-07-01 |
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3010/3005/3025/3050SU-8 3000光刻胶 简单介绍：SU-8 3000是一种高对比度，基于环氧的光刻胶，专为微加工和其他微电子应用中， 需要化学和热稳定的图像。 SU-8 3000是SU-8和SU-8 2000的改进配方，已被广泛采用 由MEMS生产商使用多年。 SU-8 3000有配制用于改善附着力和降低涂层应力。 SU-8 3000的粘度范围允许膜厚为4至单层涂层厚度为120 µm。 产品型号：3010/3005/3025/3050 所在地：北京市 更新时间：2025-07-01 |
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2005/2010/2025光刻胶SU-8 2000 简单介绍：SU-8 2000是一种高对比度，基于环氧的光致抗蚀剂，设计用于微加工和其他微电子应用，需要厚，化学和热稳定的图像。 SU-8 2000是SU-8的改进配方，多年来已被MEMS生产商广泛使用。使用更快干燥，极性更大的溶剂系统可改善涂层质量并提高工艺产量。 SU-8 2000有十二种标准粘度。通过单道涂覆工艺可以实现0.5至 200微米的膜厚。使膜的暴露的和随后热交联的部分不溶于液体显影剂。 产品型号：2005/2010/2025 所在地：北京市 更新时间：2025-07-01 |
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美国Futurrex光刻胶 简单介绍：Futurrex 成立于1985年，是美国光刻胶及辅助化学品制造商。产品以技术著称，从2000年至今年均增长率为33%。主要客户有：Ti、半导体、HP、SHARP、3M、Universal Display、ETC、LG、Qualcomm （高通）等。Futurrex长期与Intel实验室合作，产品被广泛收录进美国各大学半导体教程，是各大研究机构产品。 产品型号： 所在地：北京市 更新时间：2025-07-01 |
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PR3、PR41Futurrex去胶液 简单介绍：Futurrex 成立于1985年，是美国光刻胶及辅助化学品制造商。产品以技术著称，从2000年至今年均增长率为33%。主要客户有：Ti、半导体、HP、SHARP、3M、Universal Display、ETC、LG、Qualcomm （高通）等。Futurrex长期与Intel实验室合作，产品被广泛收录进美国各大学半导体教程，是各大研究机构产品。 产品型号：PR3、PR41 所在地：北京市 更新时间：2025-07-01 |
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RD3、RD6美国Futurrex显影液 简单介绍：Futurrex 成立于1985年，是美国光刻胶及辅助化学品制造商。产品以技术著称，从2000年至今年均增长率为33%。主要客户有：Ti、半导体、HP、SHARP、3M、Universal Display、ETC、LG、Qualcomm （高通）等。Futurrex长期与Intel实验室合作，产品被广泛收录进美国各大学半导体教程，是各大研究机构产品。 产品型号：RD3、RD6 所在地：北京市 更新时间：2025-07-01 |
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mr-I 7000E、mr-I 8000E德国Micro Resist纳米压印胶 简单介绍：德国Micro Resist公司创立于1993年.公司生产的高性能各种用于微纳制作的光刻胶，除了生产用于i、g和h线的光刻胶以外，还有电子束刻蚀胶和纳米压印胶以及专门用于光学波导制作的光胶可供选择。 产品型号：mr-I 7000E、mr-I 8000E 所在地：北京市 更新时间：2025-07-01 |
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ma-N 2400、mr-EBLMicro Resist电子束及深紫外光刻胶 简单介绍：德国Micro Resist公司创立于1993年.公司生产的高性能各种用于微纳制作的光刻胶，除了生产用于i、g和h线的光刻胶以外，还有电子束刻蚀胶和纳米压印胶以及专门用于光学波导制作的光胶可供选择。 产品型号：ma-N 2400、mr-EBL 所在地：北京市 更新时间：2025-07-01 |
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