德國SciDre公司推出的高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度，晶體生長腔壓力可達(dá)300bar，甚至10-5mbar的高真空。適用于生長各種超導(dǎo)材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。

┃ 設(shè)備技術(shù)參數(shù)

• 采用垂直式光路設(shè)計

• 采用高照度短弧氙燈，多種功率規(guī)格可選

• 熔區(qū)溫度：>3000℃

• 熔區(qū)壓力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多種規(guī)格可選

• 氧氣/氬氣/氮氣/空氣/混合氣等多種氣路可選

• 采用光柵控制技術(shù)，加熱功率從0-99% 連續(xù)可調(diào)

• 樣品腔可實現(xiàn)低至10-5mbar真空環(huán)境

• 豐富的可升選件