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半導(dǎo)體曝光設(shè)備是半導(dǎo)體制造過(guò)程中用于在硅片上繪制電路圖案的設(shè)備。強(qiáng)大的紫外光透過(guò)光掩模，作為電路圖案的原型，電路圖案被轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的硅晶片上。近年來(lái)，一些設(shè)備使用波長(zhǎng)為 13 nm 的激光（稱為 EUV）來(lái)微型化精細(xì)電路圖案。由于定位等要求高的精度，因此設(shè)備價(jià)格昂貴。
半導(dǎo)體曝光設(shè)備的應(yīng)用
半導(dǎo)體曝光設(shè)備用于包含MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）和FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等半導(dǎo)體元件的IC（集成電路）制造過(guò)程中的曝光工序。
在IC制造過(guò)程中，在硅晶片上依次重復(fù)光刻和蝕刻循環(huán)，并且在將氧化硅、金屬等層層壓并加工成預(yù)定圖案的過(guò)程中，半導(dǎo)體元件所需的特性被加工為執(zhí)行得如此，它已經(jīng) .例如，在n型MOS(NMOS)的情況下，在p型硅基板的柵極區(qū)域上形成氧化硅膜和柵極金屬，并且將高濃度的雜質(zhì)離子注入到漏極和源極中。這形成了n型（n+型）MOS。這一系列工序中的光刻工序和蝕刻工序如圖所示地構(gòu)成(成膜工序S1～抗蝕劑剝離工序S6)。
