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　　主要功能

　　具有熱ALD沉積氧化物、氮化物、貴金屬等薄膜材料的功能；具備未來(lái)等離子體增強(qiáng)ALD、Loadlock單元擴(kuò)展功能。

　　應(yīng)用

　　原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型（厚度、成份和結(jié)構(gòu)）

　　原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD），最初稱(chēng)為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也稱(chēng)為原子層化學(xué)氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子層沉積是在一個(gè)加熱反應(yīng)器中的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體物種，化學(xué)吸附的過(guò)程直至表面飽和時(shí)就自動(dòng)終止，適當(dāng)?shù)倪^(guò)程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。

　　目前可以沉積的材料包括：氧化物，氮化物，氟化物，金屬，碳化物，復(fù)合結(jié)構(gòu)，硫化物，納米薄層等。中空納米管，隧道勢(shì)壘層，光電電池性能的提高，納米孔道尺寸的控制，高高寬比納米圖形，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的反靜態(tài)阻力涂層和疏水涂層的種子層，納米晶體，ZnSe涂層，納米結(jié)構(gòu)，中空納米碗，存儲(chǔ)硅量子點(diǎn)涂層，納米顆粒的涂層，納米孔內(nèi)部的涂層，納米線的涂層。

　　上述領(lǐng)域并不代表原子層沉積技術(shù)的所有可能應(yīng)用領(lǐng)域，隨著科技的發(fā)展在不遠(yuǎn)的將來(lái)將會(huì)發(fā)現(xiàn)其越來(lái)越多的應(yīng)用。根據(jù)該技術(shù)的反應(yīng)原理特征，各類(lèi)不同的材料都可以沉積出來(lái)。已經(jīng)沉積的材料包括金屬、氧化物、碳（氮、硫、硅）化物、各類(lèi)半導(dǎo)體材料和超導(dǎo)材料等?，F(xiàn)在原子層沉積系統(tǒng)有國(guó)際品牌和自主品牌兩類(lèi)。在國(guó)外品牌以劍橋（cambridge）最為悠久，全球銷(xiāo)售量幾百臺(tái)。其次以芬蘭的BENEQ和picosun，在g端ALD領(lǐng)域投入大量研發(fā)工作。近幾年，在國(guó)內(nèi)已經(jīng)有幾家設(shè)備公司先后完成研發(fā)，在市場(chǎng)上推出自己的機(jī)型。