粉末原子层沉积是一种薄膜制备技术。与传统的原子层沉积（ALD）相比，利用粉末作为反应物源，实现了更高的生长速率和更大尺寸的薄膜覆盖面积。在过去的几年里，已经成为材料科学和工程领域的研究热点，并在微电子、能源存储、光电子等领域展示出巨大的潜力。
粉末原子层沉积通过交替地引入气体与粉末进行表面反应，将它的概念扩展到固体颗粒上。先在基材表面形成一个导电或非导电的种子层，然后将粉末在该种子层上均匀地分布。接下来，通过向反应室中引入适当的气体，与粉末表面发生化学反应，使其在每个原子层上生长一层薄膜。这个过程可以重复多次，直到达到所需的薄膜厚度。
具有许多优点。
1、它具有较高的生长速率，通常比传统ALD快一个数量级。这是因为粉末作为反应物源可以提供更多的原子或分子，从而加快了薄膜的沉积速度。
此外，还具有较大的薄膜覆盖面积，因为粉末可以均匀地分布在基材表面上，使得整个表面都能够进行原子层沉积。
2、另一个重要的优势是对于复杂形状的基材具有较好的适应性。由于粉末可以填充到不规则表面的细微缝隙中，可以在曲率半径很小的区域实现原子层沉积，从而保持了薄膜的均匀性和一致性。这使得它在纳米器件、MEMS（微机电系统）和生物医学等领域中具有广泛的应用前景。
粉末原子层沉积是一种具有高生长速率、大薄膜覆盖面积和良好适应性的薄膜制备技术。
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