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　　粉末原子層沉積通過交替地引入氣體與粉末進(jìn)行表面反應(yīng)，將它的概念擴展到固體顆粒上。先在基材表面形成一個導(dǎo)電或非導(dǎo)電的種子層，然后將粉末在該種子層上均勻地分布。接下來，通過向反應(yīng)室中引入適當(dāng)?shù)臍怏w，與粉末表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，使其在每個原子層上生長一層薄膜。這個過程可以重復(fù)多次，直到達(dá)到所需的薄膜厚度。

 

　　具有許多優(yōu)點。

　　1、它具有較高的生長速率，通常比傳統(tǒng)ALD快一個數(shù)量級。這是因為粉末作為反應(yīng)物源可以提供更多的原子或分子，從而加快了薄膜的沉積速度。

　　此外，還具有較大的薄膜覆蓋面積，因為粉末可以均勻地分布在基材表面上，使得整個表面都能夠進(jìn)行原子層沉積。

 

　　2、另一個重要的優(yōu)勢是對于復(fù)雜形狀的基材具有較好的適應(yīng)性。由于粉末可以填充到不規(guī)則表面的細(xì)微縫隙中，可以在曲率半徑很小的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)原子層沉積，從而保持了薄膜的均勻性和一致性。這使得它在納米器件、MEMS（微機電系統(tǒng)）和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。

 

　　粉末原子層沉積是一種具有高生長速率、大薄膜覆蓋面積和良好適應(yīng)性的薄膜制備技術(shù)。