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LD-PD的脉冲半导体激光器?？槭且桓稣?05nm的InGaAs/GaAs应变量子阱激光管，可在45A版本中单独驱动，激光器的电流注入宽度为200微米，高度为10-480微米芯片。激光二极管的封装设计和组装加工技术，我们现在提供9毫米封装，5毫米封装以及18F光纤耦合包装。量子阱激光器设计的上升和下降时间小于1ns，但是驱动电路布局和封装电感起主导作用应进行相应的设计。
● 高可靠性/高效率
● 从-40°C到+85°C的稳定输出
● 高达375W的单个和堆叠设备
● 高达188W的光纤耦合设备
● 提供定制包装
● 大功率单片STAC
● 可靠性
● 客户特定波长可选
TO5.6 Package
TO18F Package
9mm Package
最大极限参数
参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
管壳温度 | ℃ | -5 | 25 | 85 |
芯片温度 | ℃ | 0 | 25 | 85 |
驱动电流 | A | 0 | 45 | 50 |
驱动电压 | V | 0.8 | 1.2 | 1.8 |
● 测距
● 仿真
● 测量设备
● 国土安全
● 激光雷达
● 自适应巡航控制
PL-QWLD-□□□□-XX
□□□□：Peak Power
80:80w
*****
150:150w
350: 350w
450:450W
600:600W
XX: Package Type
TO56=TO5.6
TO9=TO9
TO18FXXX=TO18 Fiber coupled + XXX
(Contact our sales for the coupling Type fiber)
最小起订量: 5只
(Drive Conditions: 100ns 45Amps 1kHz @ 25°Cunless stated otherwise)
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
峰值波长 | λ | 895 | 905 | 915 | nm |
谱宽 | ?λ | 5 | 8 | nm | |
上升时间 | Tr | 100 | ns | ||
工作电流 | Iop | 45 | A | ||
峰值功率 | Pp | 500 | 600 | 650 | W |
阈值电流 (typ) | Ith | 0.8 | A | ||
占空比 | 0.1 | % | |||
光斑发散度 | 8 x 25 | deg | |||
驱动电压 | Vf | 1.3 | 2 | V | |
操作温度 | Ot | 0 | 25 | 85 | deg |
可选光纤耦合类型* | 200/300/400/600um Depending on Peak Power | um | |||
光纤出光功率(typ) | Pf | 38 | 100 | 188 | w |
中心波长温度曲线
光谱图
L-I Curve（测试条件45A 1KHZ 100ns）
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