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等離子體處理儀電源完整性電源有哪些注意事項?

時間:2022/12/28閱讀:401
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  等離子體處理儀電源完整性應注意電容特性:
  在實際工作中,正確使用電容進行電源退耦,必須了解電容的頻率特性。實際上并沒有理想的電容,這就是為什么人們常常聽到“電容不僅僅是電容”。實用型電容器總有一些寄生參數(shù),它們在低頻時表現(xiàn)得不明顯,但在高頻時,它們的重要性可能超過了容值本身。由磁場能量變化的視點可以很容易理解,當電流發(fā)生變化時,磁場能量也會發(fā)生變化,但能量躍升是不可能的,體現(xiàn)了電感的特性。寄生電感可延遲電容電流的改變,增加電感可增加電容充放電阻抗,延長了電源完整性反應時間。當頻率高于諧振頻率時,自共振頻率點是區(qū)分電容與諧振的兼容性還是感性分界點,“電容不再是電容”因此退耦效果會降低。與等效串聯(lián)電感相關的電容與生產工藝流程、封裝規(guī)模有關,通常小封裝的等效串聯(lián)電感較低,寬體封裝的等效串聯(lián)電感較窄體封裝的高。將一些大的電容放在電路板上,一般是坦電容或電解電容。這種電容具有很低的ESL,但ESR很高,因此Q值很低,實用頻率范圍很寬,非常適用于板級電源濾波。質量因數(shù)越高,電路在電感或電容上的電壓就越高,附加電壓就越多。在一定頻偏下,Q值越高,電流衰減越快,諧振曲線越尖銳。換句話說,電路的挑選性是由電路的Q元素決定的,電源完整性Q值越高,挑選性越好。
  等離子體處理儀電源完整性部分的解耦規(guī)劃方法為了保證邏輯電路正常工作,有必要表示電路邏輯狀態(tài)的電平值以一定的比例下降。例如,對于3.3V邏輯,高電壓大于2V是邏輯1,低電壓小于0.8V是邏輯0。將電容置于鄰近器件上,并跨接于電源插頭與地插頭之間。一般情況下,電容充電,儲存部分電量。等離子體處理儀電源功率整流器不需要VCC來供給電路轉換所需的瞬態(tài)電流,電容相當于一小塊電源。因此,等離子體處理儀電源和地端的寄生電感都被繞道掉了,在這一段時間內,寄生電感沒有電流流過,因此也不存在感應電壓。通常將兩個或多個電容平行放置,以減小電容本身的串聯(lián)電感,從而降低電容充放電回路的阻抗。注意:電容的放置,設備間隔,設備方式,電容選擇。

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