g/i线光刻胶、KrF/ArF光刻胶在半导体集成电路中的应用

      光刻胶是光刻成像的承载介质，其作用是利用光化学反应的原理将光刻系统中经过衍射、滤波后的光信息转化为化学能量，进而完成掩模图形的复制。目前，集成电路生产中使用的光刻胶一般由聚合物骨架、光致酸产生剂或光敏化合物、溶剂，以及显影?；せ?、刻蚀?；せ诺绕渌ㄖ煞肿槌?/font> 。

光刻胶是一种有机化合物，它被紫外光曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。

中文名：光刻胶

外文名：photoresist

别名：光致抗蚀剂

成分：感光树脂、增感剂和溶剂

分类：负性胶和正性胶

硅片制造中，光刻胶的目的主要有两个：光刻胶原理，小孔成像；源头，古老的相机；

（1）将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中；

（2）在后续工艺中，?；は旅娴牟牧希ɡ缈淌椿蚶胱幼⑷胱璧膊悖?/font>

 在半导体集成电路制造行业；主要使用g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶等。在大规模集成电路的制造过程中，一般要对硅片进行过十次光刻。在每次的光刻和刻蚀工艺中，光刻胶都要通过预烘、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影和蚀刻等环节，将光罩（掩膜版）上的图形转移到硅片上。

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光刻胶是集成电路制造的重要材料：光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%-50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场。因此光刻胶是半导体集成电路制造的材料。

正性光刻胶显影示意图

按显示分类；光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。负性光刻胶显影时形成的图形与光罩（掩膜版）相反；正性光刻胶形成的图形与掩膜版相同。两者的生产工艺流程基本一致，区别在于主要原材料不同。

负性光刻胶显影示意图

按照化学结构分类；光刻胶可以分为光聚合型，光分解型，光交联型和化学放大型。光聚合型光刻胶采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，后生成聚合物；

光聚合反应示意图

光分解型光刻胶，采用含有重氮醌类化合物(DQN)材料作为感光剂，其经光照后,发生光分解反应，可以制成正性光刻胶；光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。

产品供应：

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