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ICP-500D-ICP等离子沉积系统-SI 500D
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更新时间:2025-02-17 21:00:07

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SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备,利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜??稍诩臀露认拢?amp;lt; 100ºC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜??梢允迪殖粱∧ず穸?、折射率、应力的连续调节。

SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D


是主流的半导体设备商,研发、制造和销售良好的薄膜测量仪器(反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪)和等离子工艺设备(等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统)。

SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备,利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下(< 100oC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜??梢允迪殖粱∧ず穸?、折射率、应力的连续调节。



SI 500 D主要特点:

  • 适用于8寸以及以下晶片

  • 低温沉积高质量电介质膜:80°C~350°C

  • 高速率沉积

  • 低损伤

  • 薄膜特性 (厚度、折射率、应力) 连续可调

  • 平板三螺旋天线式PTSA等离子源 (Planar Triple Spiral Antenna)

  • SENTECH高级等离子设备操作软件

  • 穿墙式安装方式


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