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电子束光刻系统

产品特点
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 
2.出色的电子束偏转控制技术 
3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 
4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 
5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs

产品参数

产品参数
1.小线宽：小于10nm（8nm available) 
2.加速电压：1-50kV 
3.电子束直径：小于2nm 
4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 
5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 
6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 
7.描电镜分辨率：小于2nm

产品介绍

产品介绍
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技                             
术制作中是的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供 
的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。 
型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及 
CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列小线宽可达8nm，小束斑直径2nm，套刻 
精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。