SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D

是主流的半导体设备商，研发、制造和销售良好的薄膜测量仪器（反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪）和等离子工艺设备（等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统）。

SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备，利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下(< 100oC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以实现沉积薄膜厚度、折射率、应力的连续调节。

SI 500 D主要特点：

• 适用于8寸以及以下晶片

• 低温沉积高质量电介质膜：80°C~350°C

• 高速率沉积

• 低损伤

• 薄膜特性 (厚度、折射率、应力) 连续可调

• 平板三螺旋天线式PTSA等离子源 (Planar Triple Spiral Antenna)

• SENTECH高级等离子设备操作软件

• 穿墙式安装方式

系统配置：