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NIE-4000 IBE離子束刻蝕機概述：

如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。樣品表面通常采用厚膠作為掩模，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。NANO-MASTER技術可以把基片溫度控制在50℃以內，以便消除熱量及后續(xù)的光刻膠剝離，同時支持

晶圓旋轉以達到想要的均勻度。

該系統(tǒng)為計算機全自動實現(xiàn)工藝控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，具有結構緊湊、功能強大、自動化程度高、模塊化設計易于維護、低成本的優(yōu)勢。

NIE-4000 IBE離子束刻蝕機特點：

• 14.5"不銹鋼立體離子束腔體

• 16cm DC離子槍1000eV,500mA, 氣動不銹鋼遮板

• 離子束中和器

• 氬氣MFC

• 6"水冷樣品臺

• 晶片旋轉速度3、10RPM，真空步進電機

• 步進電機控制晶圓片傾斜

• 手動或自動上下載晶圓片

• 典型刻蝕速率：銅200 ?/min, 硅：500 ?/min

• 6"范圍內，刻蝕均勻度+/-3%

• 極限真空5x10-7Torr，20分鐘內可達到10-6Torr級別（配套500 l/s渦輪分子泵）

• 配套1000 l/s渦輪分子泵，極限真空可達8x10-8Torr

• 磁控濺射Si3N4以保護被刻蝕金屬表面被氧化

• 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制

• 菜單驅動，4級密碼訪問保護

• 完整的安全聯(lián)鎖