NTE-4000(M)热蒸发系统:NTE-4000是PC控制的立式热蒸发系统,在有机物和金属沉积方面具有广泛的应用。设备具有占地面积小、干净、均匀、可控及可重复...
NTE-3500(A)全自动热蒸发系统:全自动立式热蒸发系统,在有机物和金属沉积方面具有广泛的应用。设备具有占地面积小、干净、均匀、可控及可重复的工艺特点。具有...
NTE-3500(M)热蒸发系统:NTE-3500是PC控制的紧凑型立式热蒸发系统,在有机物和金属沉积方面具有广泛的应用。设备具有占地面积小、干净、均匀、可控及...
NTE-3000热蒸发系统:NTE-3000是PC控制的台式热蒸发系统,在有机物和金属沉积方面具有广泛的应用。设备具有占地面积小、干净、均匀、可控及可重复的工艺...
NPE-4000(ICPA)全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可达6" 基片...
NPE-4000(ICPM)ICPECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片...
NPE-4000(A)全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋...
NPE-4000(M)PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电...
NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或...
NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或...
NSC-4000(A)全自动磁控溅射系统:立式自动系统,带有水冷或者加热(Z高可加热到700度)功能,Z大到6“旋转平台,Z大可支持到4个偏轴平面磁控管。系统配...
NSC-4000(M)磁控溅射系统:带有水冷或者加热(可加热到700度)功能,可达到到8“旋转平台,支持到4个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵,极限真空可达1...
NSC-3500(A)全自动磁控溅射系统:立式自动系统,带有水冷或者加热(可加热到700度)功能,可达6“旋转平台,支持到4个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵...
NSC-3000(M)磁控溅射系统:带有水冷或者加热(可加热到700度)功能,可达6“旋转平台,支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵,极限真空可达10-...
NSC-1000磁控溅射系统:带有水冷或者加热(可加热到700度)功能,可达6“旋转平台,支持到2个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵,极限真空可达10-7 T...
NSC-4000Sputter磁控溅射镀膜机:*进的全自动溅射系统带有水冷或者加热(可加热至700度)功能;8“旋转样平台,可支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套...
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