半导体等离子去胶机是利用等离子体技术去除半导体制造过程中光刻胶的专用设备。其核心原理是通过等离子体中的高能粒子与光刻胶发生物理或化学作用，实现高效、精准的胶层去除。
一、半导体等离子去胶机产品原理：
1.等离子体生成机制
气体辉光放电：
在真空腔体内通入工艺气体，通过高频电?。≧F射频或微波）激发气体电离，形成等离子体。
等离子体组成：包含高能电子、离子、自由基、紫外光子和中性分子。
2.去胶机理
物理作用：
高能粒子（如离子）轰击光刻胶表面，通过物理溅射破坏胶分子结构，适用于厚胶层或硬质光刻胶。
化学作用：
自由基或活性离子与光刻胶发生化学反应，分解胶分子为挥发性物质，适用于高精度图形或复杂材料。
3.选择性去除
通过调节气体种类、功率、处理时间及腔体压力，实现对不同光刻胶（正胶/负胶）或底层材料（如硅、金属）的选择性去除，避免损伤衬底。
二、半导体等离子去胶机产品结构：
1.核心组件
真空腔体：
不锈钢或铝合金材质，用于维持反应环境；
配备观察窗（石英或耐蚀玻璃）以便实时监控。
气体分配系统：
质量流量控制器（MFC）：精确调节工艺气体流量；
进气口与排气口：确保气体均匀分布并快速排出反应产物。
射频（RF）电源：
提供高频电场，激发气体产生等离子体；
功率可调，控制等离子体密度和能量。
电极结构：
电容耦合式（CCP）：上下电极板间形成电场，适合大面积均匀处理；
感应耦合式（ICP）：螺旋线圈产生高密度等离子体，用于复杂图形或深孔结构。
样品台：
静电吸附或机械固定晶圆；
可旋转或倾斜，确保等离子体均匀覆盖。
2.辅助系统
真空系统：
机械泵+分子泵组，实现腔体真空度≤10Pa；
压力传感器实时监控并反馈控制。
冷却系统：
水冷电极和腔体，防止高温损伤设备或样品；
部分机型配备样品冷却台，避免过热导致衬底损伤。
控制系统：
触摸屏或PC端界面，设置参数（气体流量、功率、时间、压力）；
数据记录与追溯功能，支持Recipe配方存储。
3.安全与环保设计
防护措施：
紧急?；磁?、过载?；?、气体泄漏报警；
腔体启闭联锁，防止误操作。
废气处理：
集成喷淋塔或活性炭过滤装置，处理反应产生的腐蚀性气体。
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