半导体等离子去胶机是半导体制造工艺中的关键设备，主要用于去除光刻胶、残留物或污染物。它利用等离子体的高能特性，通过物理或化学作用实现高效、精准的去胶和表面处理。
一、半导体等离子去胶机核心功能与原理：
1.核心功能：
去胶：去除光刻工艺后残留的光刻胶（正胶或负胶）。
表面清洁：清除晶圆表面的有机物、氧化物或颗粒污染物。
表面活化：增强晶圆表面活性，提高后续工艺（如镀膜、键合）的附着力。
蚀刻：选择性去除特定材料（如氧化层），用于精细图形处理。
2.工作原理：
通过等离子体（由气体电离产生的高能离子和自由基）与光刻胶或污染物发生化学反应或物理轰击，实现材料去除。
常见气体包括氧气、氟化气体、氩气等，根据工艺需求选择。
二、半导体等离子去胶机行业应用场景：
1.半导体制造：
光刻工艺后清洗：去除光刻胶残留，避免影响后续刻蚀或沉积工艺。
先进封装：在3D封装、TSV（硅通孔）等工艺中，用于清洁芯片表面或去除临时键合胶。
MEMS制造：去除光刻胶和释放微结构（如谐振器、传感器）。
2.集成电路（IC）生产：
在晶圆减薄、切割前清洁表面，防止污染。
在金属线键合前处理焊盘表面，提高键合强度。
3.LED与光电器件：
去除LED芯片表面的光刻胶或荧光粉残留。
清洁光伏电池表面，提升光电转换效率。
4.功率器件与第三代半导体：
用于碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体的表面处理，去除高粘性光刻胶。
在IGBT、MOSFET等功率器件制造中，清洁金属层或介质层。
5.先进封装技术：
在扇出型封装（Fan-out）、系统级封装（SiP）中，用于去除临时键合胶或清洁RDL（重布线层）。
6.科研与新材料领域：
在纳米材料、石墨烯等新型材料的制备中，用于表面清洁或图形化处理。
支持高校、研究所的微纳加工实验。
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