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詳細摘要： 硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on Si表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度： 95%制備方法：1）采用化學氣相沉積方法...

詳細摘要： 硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on Si表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度： 95%制備方法：1）采用化學氣相沉積方...

詳細摘要： 二氧化硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on SiO2表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度： 95%制備方法：1）采用化學氣...

詳細摘要： 二氧化硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on SiO2表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度： 95%制備方法：1）采用化學...

詳細摘要： 形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um

詳細摘要： 形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um

詳細摘要： 形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm襯底：紫銅層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um