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詳細(xì)摘要： 氧化石墨烯（進(jìn)口） Graphite Oxide用H法制備，水溶性好直徑：0.5~5um厚度：1~3nm

詳細(xì)摘要： 單層石墨烯（進(jìn)口） Single Layer Graphene高比表面積石墨烯制備方法：熱剝離還原與氫化還原BET比表面積（平方米/克）：400~1000電阻率...

詳細(xì)摘要： 單層石墨烯（石墨烯家族）Single Layer Graphene （Graphene Factory）BET比表面積（平方米/克）：650 ~ 750電導(dǎo)率（...

詳細(xì)摘要： 石墨烯納米薄片（2~10nm） Graphene Nanoplatelets體積特性外觀：黑色和灰色粉末碳含量：＞99.5%體積密度：0.10克/毫升水含量：0...

詳細(xì)摘要： 高比表面積氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide制備方法：改良的H法高表面積氧化石墨烯直徑：1 ~ 5um厚度：0.8~1...

詳細(xì)摘要： 氮摻雜石墨烯粉末 Nitrogen-doped Graphene PowderBET比表面積（平方米/克）：500 ~ 700電導(dǎo)率（S/m） 1000（其特征...

詳細(xì)摘要： 工業(yè)級(jí)石墨烯 Industrial-Quality Graphene制備方法：熱剝離還原厚度（nm）：≤3BET比表面積（平方米/克）：~ 600電阻率（Ω?c...

詳細(xì)摘要： 羧基化石墨烯 Carboxyl Graphene直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm羧基比例：5%純度：99%

詳細(xì)摘要： 單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide （H Method）制備方法：改良的H法直徑：1~5um厚度：0.8~1....

詳細(xì)摘要： 氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide （S Method）制備方法：斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm比...

詳細(xì)摘要： 氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide （S Method）制備方法：斯托登梅爾方法外觀為灰綠色粉末直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm比表...

詳細(xì)摘要： Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D...

詳細(xì)摘要： Carboxyl （-COOH） functionalized graphene has been developed at our facilities. C...

詳細(xì)摘要： Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride ratio is...

詳細(xì)摘要： Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfoliatio...

詳細(xì)摘要： 制備方法：層間催化裂解法厚度：1~5nm直徑：~5um比表面積：90-130 m2/g外觀：黑色粉末制備方法：層間催化裂解法 厚度：1~5nm直徑：~5um比表...

詳細(xì)摘要： 制備方法：層間催化裂解法厚度：~2nm直徑：5~10um純度：98%含氧量：1.44%電導(dǎo)率：~2597 s/cm

詳細(xì)摘要： Carboxyl （-COOH） functionalized graphene has been developed at our facilities. C...

詳細(xì)摘要： Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D...

詳細(xì)摘要： Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride ratio is...