PECVD+RIE等离子体增强化学气相沉积设备

仪器简介：

该系统中的PECVD可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。标准配置射频(RF)，可选用空阴*密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体（ICP）源。最大沉积尺寸为8英寸。
使用花伞式的阴极射频等离子源，压盘可由射频或脉冲直流控制，电阻加热，循环水冷。标准配置由一路载气和两路反应气组成，也可以选配流量计。

 
PECVD+RIE等离子体增强化学气相沉积设备

设备规格：
计算机控制的高品质沉积设备；
射频花伞喷淋头等离子源；
最大可沉积8英寸直径的薄膜；
RF偏压基底夹具；
水冷平台(water cooled platen)；
一路载气和两路反应气通过流量计控制流量；
分子涡轮泵；
基本真空度10-7 Torr，200L/sec涡轮分子泵；
空气控制阀；

技术参数：

PECVD参数：
平板尺寸(Platen size) 8英寸
源直径(Source diameter) 8英寸
气路数(No. of gas feeds) 4(2反应气，1载气，1排气)
源到平板距离(Source to platen distance) 2英寸或可以调节
最高平板温度(Max. platen temp.) 400℃
射频电源(RF power supply source) 600瓦，13.5 MHz
射频偏置(RF bias) 300瓦，13.5 MHz

RIE参数：
电脑控制，全能自锁
电极： 8”
电极冷却: 水冷
流量计MFC数量: 标配4个
RIE腔体：铝制，13”直径大小
工作压力： 0.02-500 mTorr, 动态压力控制
射频电源： 13.5 MHz, 600 W ，带自动调频，
真空度 : 10-7 Torr 以上，配涡沦分子泵, Baratron and WR 真空规
N2 吹扫: 整个腔体和气路
气体分散: 喷淋头式
硅片装载Wafer Load: 手动，气动式掀盖放置
等离子体源Plasma Sources: 台板射频偏压，可以产生-400V 偏压

主要特点：

柜式PECVD/ RIE系统，电脑Lab View软件控制
PECVD 等离子体源：平面喷淋头射频电极产生离子源
流量控制 :4个流量计（MFC） (针对 PECVD： NH3, 2%SiH4/Ar, O2, 和 N2O)
PECVD样品台Platen : 8”不绣钢，可加热至300C，水冷，温度可控，可配射频偏压 （选配）
PECVD沉积腔尺寸 : 14” x 14” x 14” ，不绣钢。真空度要求 5 x 10 - 7 Torr 以上
PECVD沉积腔前门可视窗口（5“直径），手动门（8”直径），和10“法兰，硅片在开门后手动放置
RIE腔体尺寸： 13” 直径，铝材质，掀盖式放置，气动式开门, 工作压力 : 0.02 to 1 Torr
铝质射频台，最大至8”硅片，水冷，（冷却器未包括，需要用户提供）
喷淋头式气体分散
配加热工作时使用Baratron真空计(用于RIE)和BOC Edwards 宽频真空计(用于RIE & PECVD)
3个流量计（MFC），用于RIE(C2,BCl3,and N2) 全自动过程压力控制
VCR接头和 Nupro阀门 , 氮气线吹扫，电脑控制质量流动控制器（MFC）
德国普发公司TPH261PC型200L/sec耐腐蚀涡轮分子泵和BOC公司RV12式机械泵组合使用
射频供电： 600 W，13.5MHz 带自动调频。接入电源 220 V, 3PVAC, 20 Amp/Phase, 50/60 Hz,