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航天元器件有效貯存期和超期復(fù)驗(yàn)要求

來(lái)源:材料老化測(cè)試網(wǎng)   2013年11月23日 11:21  

航天元器件有效貯存期和超期復(fù)驗(yàn)要求
Reinspection requirement for valid storaging term and exceeded valid storaging term of aerospace parts

 QJ2227A-2005   航天用電子元器件儲(chǔ)存和超期復(fù)驗(yàn)要求

前言
本標(biāo)準(zhǔn)代替QJ 2227—1992《航天用電子元器件貯存和超期復(fù)驗(yàn)要求》。
本標(biāo)準(zhǔn)與被代替標(biāo)準(zhǔn)相比主要有以下變化:
a) 規(guī)定了元器件的有效貯存期;
b) 根據(jù)元器件的貯存質(zhì)量等級(jí)和應(yīng)用場(chǎng)合分級(jí)進(jìn)行有效貯存期的計(jì)算;
c) 增加了第二次超期復(fù)驗(yàn)的規(guī)定,以適當(dāng)延長(zhǎng)元器件的使用期限;
d) 由于本標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容與QJ 2227—1992相比有較大的增加,因此標(biāo)準(zhǔn)的名稱也作了相應(yīng)的改變。
本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A為資料性附錄。
本標(biāo)準(zhǔn)由*公司提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)航天標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國(guó)航天標(biāo)準(zhǔn)化研究所。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:余振醒、管長(zhǎng)才。
本標(biāo)準(zhǔn)于1992年1月發(fā)布,2005年12月*次修訂。

航天元器件有效貯存期和超期復(fù)驗(yàn)要求
1 范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了航天產(chǎn)品用電氣、電子和機(jī)電元器件(以下簡(jiǎn)稱元器件)在規(guī)定的環(huán)境條件下貯存的期限(有效貯存期);以及超過(guò)有效貯存期,在裝機(jī)前應(yīng)通過(guò)的檢驗(yàn)方法和條件。
本標(biāo)準(zhǔn)主要適用于國(guó)產(chǎn)元器件,對(duì)于未列入本標(biāo)準(zhǔn)的國(guó)產(chǎn)元器件亦可參照與該類元器件有相同或相似特征(如制造工藝、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)等)的列入本標(biāo)準(zhǔn)的元器件使用。
2 規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包含勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的

版本。凡是不注日期的引用文件,其版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
GB/T 3187 可靠性、維修性術(shù)語(yǔ)
GJB 17.6 航空電線電纜試驗(yàn)方法 烘箱老化試驗(yàn)
GJB 17.21 航空電線電纜試驗(yàn)方法 低溫彎曲試驗(yàn)
GJB 128A—1997 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法
GJB 360—1996 電子及電氣元件試驗(yàn)方法
GJB 451 可靠性維修性術(shù)語(yǔ)
GJB 548A—1996 微電子器件試驗(yàn)方法和程序
GJB 1649 電子產(chǎn)品防靜電放電控制大綱
GJB 4027—2000 軍用電子元器件破壞性物理分析方法
GJB/Z 9000 質(zhì)量管理體系 基礎(chǔ)和術(shù)語(yǔ)
3 術(shù)語(yǔ)和定義
GB/T 3187、GJB 451和GJB/Z 9000確立的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
3.1
貯存期 storaging term
tS
元器件從生產(chǎn)完成并在生產(chǎn)廠檢驗(yàn)合格后至裝機(jī)前在一定的環(huán)境條件下存放的時(shí)間。
貯存期的計(jì)算按4.2的規(guī)定。
注:本標(biāo)準(zhǔn)中的貯存期,均以月表示。
3.2
有效貯存期 valid storaging term
tVS
一定質(zhì)量等級(jí)的元器件在規(guī)定的貯存環(huán)境條件下存放,裝機(jī)前其批質(zhì)量能滿足要求的期限。
3.3基本有效貯存期 basic valid storaging term
tBVS
未考慮元器件質(zhì)量等級(jí)的有效貯存期。
3.4
貯存質(zhì)量等級(jí) storaging quality class
Q
根據(jù)元器件在制造、檢驗(yàn)過(guò)程中質(zhì)量控制的嚴(yán)格程度,對(duì)元器件貯存后性能的影響而確定的等級(jí)。
在本標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了四個(gè)貯存質(zhì)量等級(jí),分別以Q1、Q2、Q3、Q4表示。
3.5貯存期調(diào)整系數(shù) storaging term adjustment coefficent
cSA
根據(jù)元器件不同的貯存質(zhì)量等級(jí)和用途,對(duì)基本有效貯存期調(diào)整的系數(shù)。
3.6
超期復(fù)驗(yàn) reinspection for exceeded valid storaging term
超過(guò)有效貯存期的元器件,在裝機(jī)前應(yīng)進(jìn)行的一系列檢驗(yàn)。
3.7
繼續(xù)有效期 continued valid term
超期復(fù)驗(yàn)合格的元器件在規(guī)定的貯存環(huán)境條件下存放,其批質(zhì)量能滿足要求的期限。
4 一般要求
4.1 貯存環(huán)境條件
4.1.1 通用貯存環(huán)境條件
元器件應(yīng)貯存在清潔、通風(fēng)、無(wú)腐蝕氣體并有溫度和相對(duì)濕度控制的場(chǎng)所。通用貯存環(huán)境條件的分類見(jiàn)表1。
表1 貯存環(huán)境條件分類
分 類 代 號(hào) 溫 度 ℃ 相 對(duì) 濕 度 %
Ⅰ 10~25 25~70
Ⅱ -5~30 20~75
Ⅲ -10~40 20~85
4.1.2 特殊貯存環(huán)境條件
某些元器件的存放應(yīng)滿足以下特殊要求:
a) 對(duì)靜電放電敏感的元器件(如MOS器件、微波器件等),應(yīng)按GJB 1649的規(guī)定,采取靜電放電防護(hù)措施;
b) 對(duì)磁場(chǎng)敏感但本身無(wú)磁屏蔽的元件,應(yīng)存放在具有磁屏蔽作用的容器內(nèi);
c) 非密封片狀元器件應(yīng)存放在充有惰性氣體的密封容器內(nèi),或存放在采取有效防氧化措施(如加吸濕劑、防氧化劑等)的密封容器內(nèi);
d) 微電機(jī)等機(jī)電元件的油封及單元包裝應(yīng)保持完整。
4.2 貯存期的計(jì)算

貯存期的起始日期按下列優(yōu)先順序確定:
a) 經(jīng)過(guò)補(bǔ)充篩選(二次篩選)其篩選項(xiàng)目和條件不少于本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的相應(yīng)超期復(fù)驗(yàn)中非破壞性檢驗(yàn)項(xiàng)目,且補(bǔ)充篩選(二次篩選)完成日期或生產(chǎn)日期不超過(guò)12 個(gè)月的元器件,可按補(bǔ)充篩選(二次篩選)合格證上篩選完成

的日期計(jì)算;
b) 按產(chǎn)品合格證上的檢驗(yàn)日期計(jì)算;
c) 元器件上打印的生產(chǎn)日期(或星期)代碼(號(hào)),凡僅有年月而無(wú)日期的均按該月15 日計(jì)算(如為星期代號(hào),則按星期四的日期計(jì)算);
d) 按包裝容器上的包裝日期提前一個(gè)月計(jì)算;
e) 按元器件驗(yàn)收日期提前兩個(gè)月計(jì)算,如果驗(yàn)收時(shí)能確定元器件的生產(chǎn)日期,則應(yīng)按生產(chǎn)日期計(jì)算。
從貯存起始日期至預(yù)定裝機(jī)日期之間的時(shí)間為元器件的貯存期。
4.3 *次超期復(fù)驗(yàn)的分類
貯存期超過(guò)有效貯存期的元器件應(yīng)按本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定進(jìn)行復(fù)驗(yàn),復(fù)驗(yàn)通過(guò)的元器件,才能作為合格品用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。元器件的超期復(fù)驗(yàn)按超過(guò)有效貯存期時(shí)間的長(zhǎng)短分為A1、B1、C1三類:
a) 貯存期已超過(guò)有效貯存期,但未超過(guò)1.3 倍的為A1 類;
b) 貯存期已超過(guò)有效貯存期1.3 倍,但未超過(guò)1.7 倍的為B1 類;
c) 貯存期已超過(guò)有效貯存期1.7 倍,但未超過(guò)2.0 倍的為C1 類。
除非另有規(guī)定,凡貯存期已超過(guò)有效貯存期2 倍的元器件,不得進(jìn)行*次超期復(fù)驗(yàn)。
4.4 超過(guò)有效貯存期元器件的復(fù)驗(yàn)
4.4.1 復(fù)驗(yàn)批
凡在相同類別的貯存環(huán)境條件下存放的元器件,其型號(hào)、結(jié)構(gòu)、額定值和電特性以及生產(chǎn)單位相同、貯存起始日期相近(不超過(guò)一星期),且為按4.3規(guī)定分類的相同類別,構(gòu)成同一復(fù)驗(yàn)批。除非另有說(shuō)明,以下的批均指復(fù)驗(yàn)

批。
4.4.2 復(fù)驗(yàn)元器件的失效分析
在復(fù)驗(yàn)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)致命缺陷(功能失效)或嚴(yán)重缺陷的元器件,應(yīng)進(jìn)行失效分析,如果分析結(jié)果表明失效或缺陷為批次性的,則同一生產(chǎn)批的元器件不得用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。
4.4.3 復(fù)驗(yàn)后元器件的貯存
復(fù)驗(yàn)合格的元器件應(yīng)在不低于原貯存的環(huán)境條件下繼續(xù)存放。復(fù)驗(yàn)不合格的元器件應(yīng)嚴(yán)格隔離。
4.4.4 復(fù)驗(yàn)報(bào)告和復(fù)驗(yàn)合格品的標(biāo)志
承擔(dān)復(fù)驗(yàn)任務(wù)的單位復(fù)驗(yàn)后應(yīng)向委托單位提供復(fù)驗(yàn)報(bào)告,對(duì)元器件復(fù)驗(yàn)的結(jié)果作出結(jié)論。對(duì)復(fù)驗(yàn)合格的元器件應(yīng)開(kāi)具復(fù)驗(yàn)合格證,作為允許裝機(jī)的憑證。當(dāng)規(guī)定時(shí)應(yīng)在復(fù)驗(yàn)合格的元器件上打上復(fù)驗(yàn)合格品的標(biāo)志,以便區(qū)別于

未超期復(fù)驗(yàn)的元器件。
4.5 第二次超期復(fù)驗(yàn)
已經(jīng)通過(guò)了*次超期復(fù)驗(yàn)的合格元器件,如果其預(yù)定裝機(jī)的時(shí)間將超過(guò)5.5規(guī)定的繼續(xù)有效期,但不超過(guò)繼續(xù)有效期的2.0倍,允許進(jìn)行第二次超期復(fù)驗(yàn)。元器件第二次超期復(fù)驗(yàn)按超過(guò)繼續(xù)有效期時(shí)間的長(zhǎng)短分為A2、B2、C2

三類:
a) 貯存期已超過(guò)繼續(xù)有效期,但未超過(guò)1.3 倍的為A2 類;
b) 貯存期已超過(guò)繼續(xù)有效期1.3 倍,但未超過(guò)1.7 倍的為B2 類;

c) 貯存期已超過(guò)繼續(xù)有效期1.7 倍,但未超過(guò)2.0 倍的為C2 類。
第二次超期復(fù)驗(yàn)元器件貯存期的起始日期為通過(guò)*次超期復(fù)驗(yàn)的日期,其它參照4.2規(guī)定。
第二次超期復(fù)驗(yàn)的分類與*次超期復(fù)驗(yàn)的分類雖有差別,但5.4規(guī)定的超期復(fù)驗(yàn)要求和5.5規(guī)定的繼續(xù)有效期兩者是一致的,所以在5.4和5.5中統(tǒng)一稱為A、B、C類。
除非另有規(guī)定,通過(guò)第二次超期復(fù)驗(yàn)的元器件應(yīng)在5.5規(guī)定的繼續(xù)有效期內(nèi)使用,超過(guò)此期限的元器件不允許在航天產(chǎn)品正(試)樣上使用。
4.6 進(jìn)口元器件有效貯存期及超期復(fù)驗(yàn)要求
進(jìn)口元器件有效貯存期及超期復(fù)驗(yàn)要求參見(jiàn)附錄A。
5 詳細(xì)要求
5.1 基本有效貯存期
元器件的基本有效貯存期與元器件的品種、材料、結(jié)構(gòu)和貯存的環(huán)境條件有關(guān)。根據(jù)表1對(duì)貯存條件的分類,分別規(guī)定不同種類元器件的基本有效貯存期。
5.1.1 半導(dǎo)體器件的基本有效貯存期
半導(dǎo)體器件的基本有效貯存期按表2規(guī)定。
表2 半導(dǎo)體器件的基本有效貯存期 單位:月

 

5.1.2 電阻器、電容器和電感器的基本有效貯存期
電阻器、電容器和電感器的基本有效貯存期按表3規(guī)定。


5.1.3 機(jī)電元件和其它元器件的基本有效貯存期
機(jī)電元件和其它元器件的基本有效貯存期按表4 規(guī)定。

5.2 貯存期調(diào)整系數(shù)
根據(jù)元器件不同的貯存質(zhì)量等級(jí)和用途,對(duì)基本有效貯存期調(diào)整的系數(shù)cSA 如表5 所示。
表5 元器件貯存期調(diào)整系數(shù)cSA

元器件的用途以表5 中的使用級(jí)別來(lái)表征。凡是使用在重點(diǎn)工程或一般工程關(guān)鍵部位的為1 級(jí)使用,其貯存期調(diào)整系數(shù)以cSA1 表示;一般工程的非關(guān)鍵部位為2 級(jí)使用,使用其貯存期調(diào)整系數(shù)以cSA2 表示。
貯存期調(diào)整系數(shù)僅適用于有效貯存期的調(diào)整,對(duì)5.5 規(guī)定的繼續(xù)有效期,不再按調(diào)整系數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
5.3 有效貯存期的計(jì)算
元器件的有效貯存期tVS 按公式(1)計(jì)算:
tVS=cSA×tBVS ----(1)
式中:
tVS —— 元器件有效貯存期,單位為月;
cSA —— 元器件貯存期調(diào)整系數(shù),使用在1 級(jí)應(yīng)用場(chǎng)合用cSA1,使用在2 級(jí)應(yīng)用場(chǎng)合用cSA2;
tBVS —— 元器件基本有效貯存期,單位為月。

以上計(jì)算得出的元器件有效貯存期僅供超期復(fù)驗(yàn)使用,不能取代元器件產(chǎn)品規(guī)范中規(guī)定的允許貯存
期,也不表明航天用戶對(duì)元器件有效貯存期的要求。

5.4 元器件超期復(fù)驗(yàn)要求
5.4.1 A 類超期復(fù)驗(yàn)要求
5.4.1.1 外觀質(zhì)量檢查
5.4.1.1.1 抽樣方案
若無(wú)其它規(guī)定,除成盤的電線(含漆包線)、電纜外,其它元器件應(yīng)全部檢查。電線(含漆包線)及成盤的電纜應(yīng)在起始端截去0.1m 后,再抽樣110+0 m 作為樣本進(jìn)行檢查;非成盤的
或長(zhǎng)度不超過(guò)10m 的電纜可抽取長(zhǎng)度10%作為樣本進(jìn)行檢查。
5.4.1.1.2 檢查方法及批不合格判據(jù)
用3~10 倍放大鏡或顯微鏡對(duì)元器件進(jìn)行外觀檢查。元器件引出端斷裂或外殼脫落為致命缺陷;引出端銹蝕或表面損傷為嚴(yán)重缺陷;表面鍍涂層脫落、起泡或標(biāo)志模糊不清但不影響使用為輕缺陷。有這三種缺陷的元器件均為

不合格品,應(yīng)予剔除。
如檢查結(jié)果不合格的元器件的比例超過(guò)5%(或至少1 個(gè),取大值),或致命缺陷和嚴(yán)重缺陷元器件的比例超過(guò)2%(或至少1 個(gè),取大值),則整批元器件不得用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。
電線、電纜的外絕緣層或屏蔽層如果有老化變質(zhì)或銹蝕等情況,應(yīng)按5.4.3.3 進(jìn)行破壞性物理分析(DPA),如果分析結(jié)果不合格,則整盤電線、電纜不得用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。漆包線如果有漆皮脫落或粘附力不強(qiáng)等缺

陷,則整盤漆包線不得用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。
5.4.1.2 電特性測(cè)試
5.4.1.2.1 抽樣方案
若無(wú)其它規(guī)定,除成盤的電線(含漆包線)、電纜外,其它元器件應(yīng)全部檢查。
電線(含漆包線)及成盤的電纜應(yīng)在起始端截去0.1m 后,再抽樣1010+ m 作為樣本進(jìn)行檢查;非成盤的或長(zhǎng)度不超過(guò)10m 的電纜可抽取長(zhǎng)度10%作為樣本進(jìn)行檢查。
5.4.1.2.2 測(cè)試方法及批不合格判據(jù)
對(duì)于入庫(kù)時(shí)已進(jìn)行過(guò)電特性測(cè)試的元器件,應(yīng)按入庫(kù)測(cè)試的方法進(jìn)行相同參數(shù)的測(cè)試。對(duì)于入庫(kù)時(shí)未進(jìn)行電特性測(cè)試的元器件,應(yīng)按元器件相應(yīng)的詳細(xì)規(guī)范或產(chǎn)品手冊(cè)測(cè)試功能和主要參數(shù)(電線、電纜一般僅要求測(cè)試絕緣電

阻和耐電壓)。元器件喪失規(guī)定功能為致命缺陷;參數(shù)不符合規(guī)范要求(參數(shù)超差)為非致命缺陷。除非另有規(guī)定,測(cè)試僅要求在室溫下進(jìn)行。
如測(cè)試結(jié)果不合格的元器件的比例超過(guò)10%(或至少1 個(gè),取大值),或其中致命缺陷元器件的比例超過(guò)3%(或至少1 個(gè),取大值),則整批元器件不得用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。
電線(含漆包線)、電纜樣本的電特性不合格,則整盤電線(含漆包線)、電纜不得用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。
5.4.1.3 密封性檢查
5.4.1.3.1 抽樣方案
對(duì)密封元器件應(yīng)全部進(jìn)行密封性檢查。
5.4.1.3.2 檢查方法及批不合格判據(jù)
按有關(guān)元器件的產(chǎn)品規(guī)范(總規(guī)范、詳細(xì)規(guī)范)要求進(jìn)行密封性檢查;對(duì)于無(wú)適用產(chǎn)品規(guī)范的元器件,半導(dǎo)體分立器件按GJB 128A—1997 方法1071、半導(dǎo)體微電路按GJB 548A—1996 方法1014A、元件按以上計(jì)算得出的元器件

有效貯存期僅供超期復(fù)驗(yàn)使用,不能取代元器件產(chǎn)品規(guī)范中規(guī)定的允許貯存期,也不表明航天用戶對(duì)元器件有效貯存期的要求。
5.4.1.3.2 檢查方法及批不合格判據(jù)
按有關(guān)元器件的產(chǎn)品規(guī)范(總規(guī)范、詳細(xì)規(guī)范)要求進(jìn)行密封性檢查;對(duì)于無(wú)適用產(chǎn)品規(guī)范的元器件,半導(dǎo)體分立器件按GJB 128A—1997 方法1071、半導(dǎo)體微電路按GJB 548A—1996 方法1014A、元件按GJB 360A—1996 方法

112 進(jìn)行密封性檢查;除非另有規(guī)定,對(duì)于非固體鉭電容器可用pH 試紙進(jìn)行檢查,一般不要求進(jìn)行真空檢漏。
對(duì)于入庫(kù)時(shí)已進(jìn)行過(guò)密封性檢查的元器件,復(fù)驗(yàn)總不合格品超過(guò)10%(或至少1 個(gè),取大值)或粗檢漏不合格品超過(guò)5%(或至少1 個(gè),取大值)時(shí),則整批不得用于航天產(chǎn)品正(試)樣上;對(duì)于入庫(kù)時(shí)未進(jìn)行密封性檢查的元器

件,復(fù)驗(yàn)總不合格品超過(guò)20%(或至少1 個(gè),取大值)或粗檢漏不合格品超過(guò)10%時(shí)(或至少1 個(gè),取大值),則整批不得用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。
5.4.1.4 A 類超期復(fù)驗(yàn)的結(jié)論
通過(guò)5.4.1.1~5.4.1.3 檢驗(yàn)的元器件,剔除不合格品后,其余元器件可作為合格品用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。
5.4.2 B 類超期復(fù)驗(yàn)要求
5.4.2.1 外觀質(zhì)量檢查
按5.4.1.1 的要求進(jìn)行外觀質(zhì)量檢查。
5.4.2.2 電特性測(cè)試
按5.4.1.2 要求在室溫下測(cè)試主要的電特性,適用時(shí)還應(yīng)按產(chǎn)品規(guī)范要求在高、低溫下測(cè)試元器件的電特性。對(duì)于入庫(kù)時(shí)已進(jìn)行過(guò)高、低溫電特性測(cè)試的元器件,如果高、低溫測(cè)試不合格元器件的比例超過(guò)7%(或至少1 個(gè),

取大值),則整批元器件不得用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。對(duì)于入庫(kù)時(shí)未進(jìn)行過(guò)高、低溫電特性測(cè)試的元器件,應(yīng)按補(bǔ)充篩選(二次篩選)的要求進(jìn)行高、低溫測(cè)試。
其它電特性的批不合格判據(jù)同5.4.1.2.2 規(guī)定。
5.4.2.3 密封性檢查
按5.4.1.3 規(guī)定。
5.4.2.4 烘箱老化及低溫彎曲試驗(yàn)
對(duì)電線(含漆包線)、電纜應(yīng)參照GJB 17.6 和GJB 17.21 的規(guī)定,分別抽樣進(jìn)行烘箱老化試驗(yàn)和低溫彎曲試驗(yàn)。
5.4.2.5 引出端可焊性試驗(yàn)
引出端可焊性試驗(yàn)的樣品應(yīng)從外觀質(zhì)量檢查合格的元器件中抽取,若無(wú)其它規(guī)定允許抽取電參數(shù)不合格的元器件作為樣品。引出端可焊性試驗(yàn)要求按表6 的規(guī)定進(jìn)行。
表6 引出端可焊性試驗(yàn)要求

5.4.2.6 B 類超期復(fù)驗(yàn)的結(jié)論
通過(guò)5.4.2.1~5.4.2.5 檢驗(yàn)的元器件,剔除不合格品后,其余元器件可作為合格品用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。
5.4.3 C 類超期復(fù)驗(yàn)要求
5.4.3.1 通則
C 類超期元器件除按5.4.2.1~5.4.2.5 要求進(jìn)行各項(xiàng)檢驗(yàn)外,對(duì)部分元器件還應(yīng)增加以下檢驗(yàn)項(xiàng)目。
5.4.3.2 引出端強(qiáng)度試驗(yàn)
引出端強(qiáng)度試驗(yàn)的樣品應(yīng)從外觀質(zhì)量檢查合格的元器件中抽取,若無(wú)其它規(guī)定允許抽取電參數(shù)不合格或已做過(guò)可焊性試驗(yàn)的元器件作為樣品。引出端強(qiáng)度試驗(yàn)按表7 的規(guī)定進(jìn)行。
表7 引出端強(qiáng)度試驗(yàn)要求

5.4.3.3 破壞性物理分析(DPA)
5.4.3.3.1 通則半導(dǎo)體器件、非固體鉭電容器、密封電磁繼電器、金屬殼封裝的石英諧振器和振蕩器、電線(含漆包
線)進(jìn)行C 類復(fù)驗(yàn)時(shí),應(yīng)抽樣做破壞性物理分析(DPA)。當(dāng)規(guī)定時(shí)其它元器件也應(yīng)做破壞性物理分析(DPA)。
5.4.3.3.2 樣本大小
除非另有規(guī)定,DPA 可用電特性不合格但未喪失功能的元器件作為樣本。DPA 的zui小樣本大小及合格判定數(shù)見(jiàn)表8。
表8 破壞性物理分析zui小樣本大小及合格判定數(shù)

5.4.3.3.3 DPA 方法和批不合格判據(jù)
元器件DPA 方法按GJB 4027—2000 規(guī)定,也可按更嚴(yán)格和合理的方法進(jìn)行DPA 試驗(yàn)。DPA 方法和缺陷判據(jù)除按GJB 4027—2000 或其它更嚴(yán)格和合理的規(guī)定外,特提出以下補(bǔ)充要求:
a) 除非另有規(guī)定,在超期復(fù)驗(yàn)中已做過(guò)GJB 4027—2000 規(guī)定的檢驗(yàn)項(xiàng)目可不再進(jìn)行。
b) 對(duì)半導(dǎo)體器件(分立器件及集成電路)、密封電磁繼電器、石英諧振器、振蕩器進(jìn)行內(nèi)部目檢時(shí),如果發(fā)現(xiàn)腐蝕等批次性失效模式,則整批不得用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。
c) 對(duì)非固體鉭電容器進(jìn)行內(nèi)部目檢時(shí),當(dāng)發(fā)現(xiàn)內(nèi)壁有腐蝕孔或普遍腐蝕的現(xiàn)象,其深度達(dá)到外殼厚度的四分之一以上時(shí),則整批不得用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。
d) 除非另有規(guī)定,玻璃管殼封裝的元器件一般不要求解剖后進(jìn)行DPA,對(duì)于透明外殼可用溶劑去除涂敷層后,用適當(dāng)放大倍數(shù)的放大鏡或顯微鏡檢查其內(nèi)部質(zhì)量,當(dāng)發(fā)現(xiàn)有腐蝕現(xiàn)象,則整批不得用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。
e) 將成盤的電線(含漆包線)、電纜的起始端截去0.1m 后,再截取1m 作為樣品;非成盤的電纜按其長(zhǎng)度的10%(或至少1m,取小值)作為樣品。對(duì)于有外絕緣層或屏蔽套的電線、電纜,應(yīng)剝開(kāi)外絕緣體或屏蔽套,用適當(dāng)

放大倍數(shù)的放大鏡或顯微鏡觀察其質(zhì)量,當(dāng)發(fā)現(xiàn)絕緣層或屏蔽套有腐蝕或生銹現(xiàn)象,則整盤電線、電纜不得用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。漆包線用放大倍數(shù)不低于10 倍的放大鏡或顯微鏡觀察其外表質(zhì)量,并在漆包線樣品的中

間部位用手彎折90°±5°(彎曲的曲率半徑可取漆包線直徑的4~5 倍),往返5 次。如果發(fā)現(xiàn)漆皮起皺、脫落或?qū)w銹蝕等缺
陷,則整盤漆包線不得用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。用放大倍數(shù)不低于10 倍的放大鏡或顯微鏡檢查電線、電纜線芯,如果發(fā)現(xiàn)有氧化、銹蝕等情況,則整盤電線、電纜不得用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。
5.4.3.4 C 類超期復(fù)驗(yàn)的結(jié)論
通過(guò)5.4.2.1~5.4.2.5 和5.4.3.2、5.4.3.3 檢驗(yàn)的元器件,剔除不合格品后,其余元器件可作為合格品用于航天產(chǎn)品正(試)樣上。
5.5 超期復(fù)驗(yàn)后的繼續(xù)有效期
超過(guò)有效貯存期的元器件,經(jīng)超期復(fù)驗(yàn)(包括第二次超期復(fù)驗(yàn))合格后,在不低于原貯存環(huán)境條件下存放,元器件的繼續(xù)有效期分別見(jiàn)表9、表10 和表11。
表9 半導(dǎo)體器件的繼續(xù)有效期


附 錄 A
(資料性附錄)
進(jìn)口元器件有效貯存期及超期復(fù)驗(yàn)要求
A.1 貯存環(huán)境條件
下列進(jìn)口元器件按表1 的Ⅰ類環(huán)境條件貯存。對(duì)于集成電路應(yīng)盡可能在充氮、抽真空條件下存放。
A.2 質(zhì)量情況
進(jìn)口元器件應(yīng)通過(guò)正常渠道采購(gòu),并經(jīng)使用方驗(yàn)收合格。
A.3 有效貯存期及超期復(fù)驗(yàn)要求
滿足A.1、A.2要求的進(jìn)口元器件,其有效貯存期及超期復(fù)驗(yàn)要求按表A.1規(guī)定

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