引言：光刻工艺中的UV监测挑战

在半导体制造的光刻（Photolithography）工艺中，紫外线（UV）光源的稳定性直接影响晶圆曝光精度。光源强度波动可能导致线宽偏差（CD Variation）、图案失真，甚至批次报废。住田光学的UV-300K紫外线传感器通过实时监测UV光强，成为保障曝光工艺稳定的“隐形防线”。

UV-300K的核心作用：从监测到闭环控制

1. 精准捕捉关键波长（365nm/i-line）

半导体光刻常用365nm（i-line）紫外线，UV-300K的高灵敏度探头（0.3~90 mW/cm2）可实时检测该波段光强，误差≤±2% FS，确保曝光能量一致性。

2. 快速响应（≤300ms）匹配高速生产

现代光刻机需高频曝光，UV-300K的毫秒级响应速度能同步反馈光强变化，避免因延迟导致曝光不均。

3. 闭环控制：联动光源与PLC系统

• 模拟输出（4~20mA/1~5V）直接连接光刻机控制系统，动态调节UV灯功率。

• NPN集电极开路信号可触发报警，在光强异常时自动暂停工艺。

实际案例：解决光刻工艺的三大痛点

痛点1：UV灯老化导致光衰

• 问题：某晶圆厂发现曝光线宽随生产批次逐渐偏移。

• 解决方案：UV-300K监测到365nm光强下降5%，系统自动补偿光源功率，线宽偏差恢复至±1nm以内。

痛点2：环境温度影响UV输出

• 问题：夏季车间升温导致UV灯效率波动。

• 解决方案：UV-300K耐高温版本（-40°C~+300°C）实时校正光强，曝光均匀性提升20%。

痛点3：多机台一致性校准

• 问题：不同光刻机曝光能量存在差异。

• 解决方案：通过UV-300K的示教功能统一校准各机台灵敏度，确保跨设备工艺一致性。

为什么半导体厂商选择UV-300K？

结语：智能化光刻的监测基石

在半导体制造迈向更小制程（如3nm/2nm）的背景下，UV-300K通过高精度监测+实时反馈，成为曝光工艺稳定的关键保障。其价值不仅在于故障预防，更在于推动工艺控制的数字化升级。