1）用某种离子在固定电压下去轰击不同的靶材，s会随元素周期表的族而变化。反之，靶材种类确定，用不同种类的离子去轰击靶材，s也随元素周期表的族作周期性变化。

2）S随入射离子的能量（即加速电压V）的增加而单调地增加。不过，V有临界值（一般为10V）。在10V以下时，S为零。当电压≥10KV时，由于入射离子会打入靶中，S反而减少了。

3）对于单晶靶，s的大小随晶面的方向而变化。因此，被溅射的原子飞出的方向是不遵守余弦定律的，而有沿着晶体的最稠密面的倾向。

4）对于多晶靶，离子从斜的方向轰击表面时，S增大。由溅射飞出的原子方向多和离子的正相反方向相一致。

5）被溅射下来的原子所具有的能量比由真空蒸发飞出的原子所具有的能量（~0.1eV）大1~2个数量级。

混入薄膜中的气体分子：用溅射法制作的Ni薄膜时，当溅射电压在100V以下时，Ar几乎没有混入?？墒?，一到100V以上，薄膜中的Ar原子数急剧增加。