特點

混合集成電路是將一個電路中所有元件的功能部分集中在一個基片上，能基本上消除電子元件中的輔助部分和各元件間的裝配空隙和焊點，因而能提高電子設(shè)備的裝配密度和可靠性。由于這個結(jié)構(gòu)特點，混合集成電路可當作分布參數(shù)網(wǎng)絡(luò)，具有分立元件網(wǎng)路難以達到的電性能?；旌霞呻娐返牧硪粋€特點，是改變導體、半導體和介質(zhì)三種膜的序列、厚度、面積、形狀和性質(zhì)以及它們的引出位置得到具有不同性能的無源網(wǎng)路。

種類

制造混合集成電路常用的成膜技術(shù)有兩種：網(wǎng)印燒結(jié)和真空制膜。用前一種技術(shù)制造的膜稱為厚膜，其厚度一般在15微米以上，用后一種技術(shù)制造的膜稱為薄膜，厚度從幾百到幾千埃。若混合集成電路的無源網(wǎng)路是厚膜網(wǎng)路，即稱為厚膜混合集成電路;若是薄膜網(wǎng)路，則稱為薄膜混合集成電路。為了滿足微波電路小型化、集成化的要求，又有微波混合集成電路。這種電路按元件參數(shù)的集中和分布情況，又分為集中參數(shù)和分布參數(shù)微波混合集成電路。集中參數(shù)電路在結(jié)構(gòu)上與一般的厚薄膜混合集成電路相同，只是在元件尺寸精度上要求較高。而分布參數(shù)電路則不同，它的無源網(wǎng)路不是由外觀上可分辨的電子元件構(gòu)成，而是全部由微帶線構(gòu)成。對微帶線的尺寸精度要求較高，所以主要用薄膜技術(shù)制造分布參數(shù)微波混合集成電路。

基本工藝

為便于自動化生產(chǎn)和在電子設(shè)備中緊密組裝，混合集成電路的制造采用標準化的絕緣基片。常用的是矩形玻璃和陶瓷基片，可將一個或幾個功能電路制作在一塊基片上。制作過程是先在基片上制造膜式無源元件和互連線，形成無源網(wǎng)絡(luò)，然后安裝上半導體器件或半導體集成電路芯片。膜式無源網(wǎng)絡(luò)用光刻制版和成膜方法制造。在基片上按照一定的工藝順序，制造出具有各種不同形狀和寬度的導體、半導體和介質(zhì)膜。把這些膜層相互組合，構(gòu)成各種電子元件和互連線。在基片上制作好整個電路以后，焊上引出導線,需要時,再在電路上涂覆保護層，最后用外殼密封即成為一個混合集成電路。

應(yīng)用發(fā)展

混合集成電路的應(yīng)用以模擬電路、微波電路為主，也用于電壓較高、電流較大的專用電路中。例如便攜式電臺、機載電臺、電子計算機和微處理器中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路、數(shù)-模和模-數(shù)轉(zhuǎn)換器等。在微波領(lǐng)域中的應(yīng)用尤為突出。