二維材料作為原子級厚度的前沿材料，其不同的量子限域效應為納米器件研發(fā)開辟了新路徑。而微納加工技術作為二維材料器件化的關鍵環(huán)節(jié)，正迎來革命性突破 —— 無掩膜光刻技術以靈活高效的優(yōu)勢，成為推動二維材料研究進展的重要工具。

各種二維材料及結構

二維材料（如石墨烯、過渡金屬硫化物等）的電學性能研究需經歷多維度技術攻關：

相較于傳統(tǒng)紫外 / 電子束光刻，無掩膜光刻技術通過數(shù)字微鏡器件（DMD）實現(xiàn)圖案的實時編輯，無需物理掩模板，顯著縮短研發(fā)周期。以新型 DMD 無掩模光刻機為例，其技術優(yōu)勢體現(xiàn)在：

某科研團隊利用無掩膜光刻技術對機械剝離的二維材料樣品進行電極加工：通過 DMD 光刻機直接定義叉指電極圖案，經電子束蒸發(fā)沉積金屬電極后，丙酮剝離工藝保留了完整的電極結構。測試顯示，器件在低溫磁場環(huán)境下展現(xiàn)出穩(wěn)定的電學響應，證明該技術在二維材料器件制備中的可靠性。

澤攸科技DMD無掩膜光刻機

無掩膜光刻技術正推動二維材料研究從實驗室走向產業(yè)化：一方面，其與柔性基底結合可拓展至可穿戴器件領域；另一方面，深紫外光源與三維集成技術的融合，為量子器件、異質結陣列的制備提供了新可能。隨著技術迭代，無掩膜光刻或將成為二維材料器件規(guī)?；a的關鍵橋梁。