手機(jī)版
化工儀器網(wǎng)手機(jī)版
化工儀器網(wǎng)小程序
官方微信
公眾號(hào)：chem17
掃碼關(guān)注視頻號(hào)
KT-Z4019MRL4T 國(guó)產(chǎn)手動(dòng)高溫真空探針臺(tái) 晶圓檢測(cè) 氣敏測(cè)試
半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的簡(jiǎn)介
一、應(yīng)用原理：
(1)探針卡(probecard)探針卡是自動(dòng)測(cè)試機(jī)與待測(cè)器件(DUT)之間的接口,在電學(xué)測(cè)試中通過探針傳遞進(jìn)出wafer的電流。
(2)探針臺(tái)(prober)因此測(cè)試對(duì)于檢驗(yàn)芯片的功能性來說是一項(xiàng)非常重要的工作,硅片測(cè)試能夠分辨一個(gè)好的芯片和一個(gè)有缺陷的芯片。RDON是VDMOS在導(dǎo)通狀態(tài)下漏源之間的導(dǎo)通電阻。
二、發(fā)展背景介紹：
(1)半導(dǎo)體檢測(cè)貫穿半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝三大流程。半導(dǎo)體制造工藝十分復(fù)雜，包含成百上千道工序，每一道出錯(cuò)都可能影響芯片功效。為了提高良率、控制成本，需要在重要的工序后借助半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備對(duì)晶圓和芯片的質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè)，及時(shí)將不符合規(guī)范的產(chǎn)品剔除。
(2)主要的檢測(cè)環(huán)節(jié)包括：設(shè)計(jì)驗(yàn)證、過程工藝控制檢測(cè)(PC測(cè)試)、CP測(cè)試(晶圓測(cè)試)、FT測(cè)試(成品測(cè)試)。
(3)其中設(shè)計(jì)驗(yàn)證、CP測(cè)試和FT測(cè)試可統(tǒng)稱為半導(dǎo)體測(cè)試，又稱后道測(cè)試；過程工藝控制檢測(cè)則可稱為前道檢測(cè)。過程工藝控制檢測(cè)所用的設(shè)備種類較多，半導(dǎo)體測(cè)試的主要設(shè)備是測(cè)試機(jī)、分選機(jī)和探針臺(tái)。
三、作用過程：
(1)關(guān)鍵參數(shù)測(cè)量，即對(duì)被觀測(cè)的晶圓電路上的結(jié)構(gòu)尺寸和材料特性做出的量化描述，如薄膜厚度、關(guān)鍵尺寸、刻蝕深度、表面形貌等物理性參數(shù)的量測(cè)；
(2)缺陷檢測(cè)，即在晶圓表面上或電路結(jié)構(gòu)中檢測(cè)是否出現(xiàn)異質(zhì)情況，如顆粒污染、表面劃傷、開短路等對(duì)芯片工藝性能具有不良影響的特征性結(jié)構(gòu)缺陷；
(3)其他小類型的檢測(cè)，如電阻率的測(cè)試，離子注入濃度檢測(cè)等。
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源：化工儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來源：化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源（非化工儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
采購中心