PECVD设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长;采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术,是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。
设备用途和功能特点
1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备,主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。
2、设备?;すδ芮?,具备真空系统检测与?;?、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与?;ぁ?/p>
3、配置尾气处理装置。
设备安全性设计
1、电力系统的检测与?;?/p>
2、设置真空检测与报警?;すδ?/p>
3、温度检测与报警?;?/p>
4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警?;?/p>
设备技术指标
类型 | 参数 |
---|---|
样片尺寸 | ≤φ6英寸(或3片2英寸) |
样片加热台加热温度 | 室温~ 600℃±0.1℃ |
真空室极限真空 | ≤7×10-5Pa |
工作背景真空 | ≤8×10-4Pa |
设备总体漏放率 | 停泵12小时后,真空度≤10Pa |
样品、电极间距 | 5mm ~ 50mm在线可调 |
工作控制压强 | 10Pa ~ 1500Pa |
气体控制回路 | 根据工艺要求配置 |
单频电源的频率 | 13.56MHz |
双频电源的频率 | 13.56MHz/400KHz |
工作条件
类型 | 参数 |
---|---|
供电 | 三相五线制 AC 380V |
工作环境温度 | 10℃~ 40℃ |
气体阀门供气压力 | 0.5MPa ~ 0.7MPa |
质量流量控制器输入压力 | 0.05MPa ~ 0.2MPa |
冷却水循环量 | 0.6m3/h 水温18℃~ 25℃ |
设备总功率 | 7kW |
设备占地面积 | 2.0m ~ 2.0m |
PECVD设备及太阳能薄膜电池设备
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