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NexION 300S ICP-MS测定硅晶 片中的杂质

阅读:433      发布时间:2025-3-14
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引言 ,使元素、过渡金属)都可能会导致器件发生缺 陷,如击穿电压或高暗电流。


出于质量控制的目的,常规分析的硅主要有两种类型:体硅和硅晶片表面。 对体硅的分析可以使用一种非常强的酸将硅消解,如氢氟酸(HF)。 硅晶片表面的分析常用的方法是气相分解,包括使用极少量的酸(通常是 HF)滴一滴在表面收集晶圆表面上的杂质。这样得到的样品体积通常约为 200μL。体硅的分析不存在样品体积的问题,但是为了尽量减少样品前处理 耗费的时间,还是需要较小的样本量。因此,对两种类型硅的分析都需要具 有处理小体积样品和高硅基质干扰,并且进样系统能够耐HF能力的仪器。由 于每个样品的分析时间通常约为2-3分钟,实验通常使用的都是样品提升速 率从20-100μL/ min的低流量雾化器。

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由于许多重要的待测元素在使用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS分析时会受到等离子产生的分子 和同质异位素的干扰(如:ArO+,ArH+,和Ar+), 因此对许多重要的待测元素的分析都很困难,这进 一步增加了分析硅杂质的难度和复杂性。通过向通 用池中通入适当的低流量反应气和使用动态 带通调谐(DBT)的功能,就能够在离子束进入四 级杆质谱前用化学方法将干扰去除,而这两个功能 都是PerkinElmer公司的NexION® 300 ICP-MS所兼具 的。NexION 300 ICP-MS的另一个优点是能够一直在 强劲的高温等离子体状况下运行,从而有效分解样品 基质。此外,NexION 300 ICP-MS能够在一次分析运 行中,同时包括使用反应模式(使用反应气)分析和 使用标准模式(不使用反应气)分析的元素,这就不 需要分析两次样品或使用两种不同的等离子条件。仪 器的软件可以将两种模式(反应模式和标准模式)得 到的结果合并,并在一份报告中打印出来。 本应用报告证明了PerkinElmer公司的NexION® 300S ICP-MS使用低流量雾化器对小体积体硅样品中的杂 质元素进行测定的能力。


实验条件 样品制备:用少量高纯浓HFHNO3 对一个体硅样品 进行消解。通常情况下,用一个干净、干燥的PTFE称取0.1 g粉碎的硅晶片,然后加入1 mL HF0.5 mL HNO3 。由于反应非常剧烈,应采用少量、连续等量 添加的方式加入HNO3 。反应无需加热,加入的HF HNO3 可以溶解硅。 将消解好的样品分为若干等分,然后分别进行稀释, 得到Si含量分别为100500、1000、20005000 ppm的样品溶液。每个样品最终的酸浓度都调节为2% HF 1.5% HNO3 。每一Si浓度都准备两个样 品,并且其中一个使用标准溶液加标(PerkinElmer Pure,珀金埃尔默公司,美国康涅狄格州谢尔顿), 以进行加标回收实验。标准曲线系列使用多元素标 准溶液(PerkinElmer Pure,珀金埃尔默公司,美国 康涅狄格州谢尔顿)配制,酸度也控制在2% HF1.5% HNO3 Tama Chemicals,日本东京)


仪器条件:实验使用的仪器为NexION 300S ICP-MS珀金埃尔默公司,美国康涅狄格州谢尔顿)。仪器参 数和进样系统组件如表1所示。 测定的元素及选择的分析模式见表2.

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结果 由于硅是一种耐高温元素,在等离子体中往往会形成 氧化物,尤其是在使用冷等离子体条件时更容易形成 氧化物。这些硅的氧化物会沉积在锥接口的表面上, 造成明显的信号漂移。NexION 300S ICP-MS具有使用 高温等离子体条件在所有分析中大大降低这种信号漂 移的能力。为了显示使用更强大的高温等离子体条件 的优势,将多元素加标浓度为100ppt的硅样品溶液( 硅浓度为2000ppm)在NexION 300S ICP-MS仪器上连 续进样2个小时,进样过程中不清洗,并且每5分钟读 数一次。结果见图1和图2,有图可见,即使是在连续 雾化样品溶液的条件下,标准模式和反应模式下测定 的各元素信号都非常稳定。 使用标准加入法进行定量分析,加标曲线系列溶液中硅 含量均为2000ppm,酸度均为2% HF1.5% HNO3 , 然后使用曲线对各种硅样品中每一个待测元素进行定 量。Ca,Fe Co的标准曲线分别见图3-5.


从标准曲线图可以推断出NexION 300S仪器的背景水 平不受等离子体温度的影响,因此当样品提升速率为 20 μL/min 时,Ca,Fe Co的背景等效浓度(BEC)都 仅在ppt浓度水平。使用高温等离子体分析这类基质的样 品的优势在于可以加速CaF2 CaHF基质中形成)等多 原子离子的分解。而这些物质在低温等离子体条件下是 不能被分解的,这也将造成Ca的灵敏度偏低。然而,使用 NexION 300S的高温等离子体可以有效分解这类物质, 从而保持了Ca的灵敏度。此外,使用通用池的反应模式 还可以消除Co的多原子干扰物ArF+,使得可以测定低浓 度的Co。 通过加标回收实验确定样品中Si不产生明显基质抑制的浓 度。实验对多元素加标浓度为100ppt,Si浓度不同的样品 溶液进行了回收率测定,结果列于图6。这一实验表明,标 准加入法标准系列溶液Si浓度为2000ppm时,可以分析Si 含量高达5000ppm的样品。同时,这一实验还发现信号抑 制率不到20%,对于这类基质的分析而言可谓佳。

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除了进行上述加标回收实验外,还进行了多元素加标浓 度为50ppt,Si含量为2000ppm的加标回收实验。结果见 3。由表3可见,所有测定元素的回收率都大于90%,这 一结果对于这种基质的分析是非常好的。表3同时还列出 了检出限,检出限的计算是使用空白溶液(酸浓度为2% HF/1.5% HNO3 ,Si浓度为2000ppm)检测值的标准偏差 乘以3得到的。由于分析Si基质样品不需要将标准曲线系 列溶液进行基体匹配,因此NexION 300S ICP-MS的检出 限是通过测定不含Si的溶液得到的。

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结论 本应用报告的数据表明NexION 300S ICP-MS能够有效 消除40 Ar +40Ca+、40 Ar 19F+59Co+40 Ar 16O+56 Fe+的干 扰,以及其他一些使用氨气作为反应气时ICP-MS常见 的、麻烦的干扰。通过调节动态带通调谐参数消除不希 望生成的反应副产物,并且通过在一个分析方法中联合 使用反应模式和标准模式,就可以在一次分析中对多元 素进行分析,提高了实验室的工作效率。此外,加标回收 实验表明NexION 300S ICP-MS在使用高温等离子体的 条件下,当Si基质含量高达2000ppm时也可以显著的减 少基质抑制效应。这表明使用NexION 300S ICP-MSSi 基质样品分析时使用一条简单的外标法的标准曲线就能 够将基质抑制效应降到低。



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