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利用ICP-OES分析高濃度鈀(Pd)內(nèi)的微量硒(Se)

閱讀:1675      發(fā)布時間:2020-03-26
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    鈀(Pd)是目前半導體超微鍍金使用的非常重要的元素之一。由于是用于超微鍍金,所以主要成分鈀(Pd)的準確含量很重要,所含雜質(zhì)的定量也非常重要。

 

    與其他無機元素分析設備相比,ICP-OES的使用方法簡單,不需要考慮過多即可取得正確的結(jié)果。然而,由于各種波長干擾,分析含有高濃度(100ppm,mg/ Kg或更多)特定元素的樣品中的雜質(zhì)并不容易。為了控制或消除這種波長干擾,業(yè)內(nèi)從很久以前便開始使用干擾元素校正(IEC,Inter-Element Correction),但該方法因為根據(jù)干擾的高濃度成分的含量制造和應用IEC模型很麻煩,所以一般并不使用。珀金埃爾默ICP-OES不受高濃度基體干擾的影響,使用可控制或消除干擾的MSF(Multi-Spectral Fitting),一直適用于多種樣品,其優(yōu)異性能已經(jīng)得到證實。

    但是高濃度鈀(Pd)中硒(Se)的情況比較特殊,硒(Se)與鈀(Pd)的波長重合,難以使用IEC或MSF模式。由此導致硒(Se)的檢測結(jié)果比預期值高出20~50倍。本文中嘗試找出解決該問題的方法。

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珀金埃爾默企業(yè)管理(上海)有限公司

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