半導(dǎo)體制造工藝中，PECVD(等離子體增強化學(xué)的氣相沉積法)、干蝕刻和濺射等工序會用到等離子體，這時需要用到氣體。PECVD是在超低壓室內(nèi)完成的工序,幾乎是在真空的狀態(tài)下制造,然后供應(yīng)需要的氣源(氬氣)。室內(nèi)的電極位于兩側(cè)，其中連接高頻AC電壓，產(chǎn)生等離子體。根據(jù)沉積需要提供含有待沉積材料的氣體,例如提供SiH4的氣體以沉積SiO。濺射工序在與PECVD類似的設(shè)備中進行,放入目標(biāo)物質(zhì),生成等離子后，其中的離子和電子在電壓的作用下加速(此時也使用Ar),它們與目標(biāo)物質(zhì)發(fā)生碰撞,使目標(biāo)物質(zhì)的金屬原子脫離出來,沉積在基板上。工序結(jié)束后,為了從chamber中取出基板，還會使用氮氣把氣壓提升至1個大氣壓。干蝕刻也類似，此時所用的氣體為SF、Cl2、02等。
半導(dǎo)體工序中使用的氣體純度對工序及雜質(zhì)含量產(chǎn)生影響。因此，對這些高純度氣體的金屬雜質(zhì)含量評估非常重要。
本文實驗了幾種高純度氣體的預(yù)處理和分析方法。
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