露點儀在半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)工藝中起重要監(jiān)測作用。半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)是在凈化間內(nèi)進(jìn)行的。凈化間規(guī)范往往包括相對濕度（RH）這一項，一年內(nèi)控制點的范圍從35%到65%，精度2%（70℃以下）濕度超標(biāo)會影響產(chǎn)品質(zhì)量及生產(chǎn)計劃的完成。

在半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)區(qū)，濕度不穩(wěn)定，會出現(xiàn)很多問題。最典型的問題是烘干期延長，整個處理過程變得難以控制。當(dāng)相對濕度高于35%時，元件易被腐蝕。此外，將顯影液噴在芯片表面時，顯影液迅速揮發(fā)，使芯片表面溫度下降，致使水汽凝結(jié)在芯片表面。凝結(jié)水不但會影響顯影特性，還會吸收到半導(dǎo)體內(nèi)，這將導(dǎo)致膨化及其它質(zhì)量缺陷，還必須增加一些不必要的工藝控制。

凈化間常用的除濕方法有兩種。一種是調(diào)節(jié)空氣，另一種是除濕劑。采用第一種方法時，將與凈化間氣流接觸的表面的溫度降至氣流露點以下。除去析出的冷凝水，將除濕后的空氣加熱至規(guī)定溫度后，重新送回凈化間。標(biāo)準(zhǔn)冷凍機(jī)可保證露點達(dá)到+4℃；采用第二種方法時，氣流通過吸濕劑，吸濕劑直接吸收氣流中的水分，然后將除濕后的空氣送回凈化間。吸濕劑除濕法可使露點低于-18℃。

另外，半導(dǎo)體芯片需在化學(xué)氣相沉積外延反應(yīng)爐中加工，將一層穩(wěn)定的單晶硅膜沉積在芯片上。在加工過程中反應(yīng)爐中的水氣和氧氣會污染沉積膜而降低

產(chǎn)量。

反應(yīng)爐工作氣壓范圍從高真空度到大氣壓，可在約344kPa壓力下預(yù)凈化處理。該工藝所需的氣體包括：胂化氫、磷化氫、氫、氮和氬等。膜沉積工藝質(zhì)量取決于對氣體混合及質(zhì)量流量的控制。產(chǎn)量取決于濕度的控制精度。也就是說，濕度及氧的測量，對設(shè)計嚴(yán)格的氣體混合規(guī)范十分重要，整個工藝過程離不開熱電制冷自動檢測露層的平衡式精密露點儀的監(jiān)測。

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電容式露點儀TK-100主要運用于半導(dǎo)體芯片哪些方面

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