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什么是SiC半導(dǎo)體？
SiC（碳化硅）是一種由硅和碳制成的化合物半導(dǎo)體，由于其優(yōu)異的性能在功率器件領(lǐng)域受到關(guān)注。
Si是我們常見的半導(dǎo)體主流材料，但SiC有望成為性能超越Si的下一代半導(dǎo)體材料。
與硅類似，SiC可以形成柵氧化膜(SiO2)和p型層。
因此，可以直接應(yīng)用在硅中開發(fā)的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的結(jié)構(gòu)。
這加速了SiC功率器件的發(fā)展，并使其在短時間內(nèi)實現(xiàn)商業(yè)化成為可能。
SiC 半導(dǎo)體的特性和優(yōu)點
功率半導(dǎo)體的性能由多種物理特性的平衡決定，包括擊穿場強、遷移率和導(dǎo)熱率。
“Variga 品質(zhì)因數(shù)"是綜合評價這些特性的指標(biāo)，SiC顯示出高的數(shù)值，約為硅的 500 倍。這意味著SiC非常適合作為功率半導(dǎo)體材料。
SiC半導(dǎo)體的主要特性可概括如下。
高擊穿場強：可以承受更高的電壓，適用于處理高功率的電路。
高導(dǎo)熱性：可以減少熱量產(chǎn)生并延長設(shè)備的使用壽命。
高遷移率：實現(xiàn)快速開關(guān)操作并提高電源轉(zhuǎn)換效率。
這些特性使SiC功率器件相對于傳統(tǒng)硅功率器件具有以下優(yōu)勢：
高效率：減少功率損耗，顯著提高能源效率。
小型化：高效率使得冷卻裝置可以做得更小，使得整個裝置變得更小成為可能。
高可靠性：即使在高溫、高壓環(huán)境下也能穩(wěn)定運行，讓您構(gòu)建高可靠的系統(tǒng)。
SiC半導(dǎo)體的應(yīng)用
傳統(tǒng)汽車由發(fā)動機提供動力。然而，近年來，隨著人們對環(huán)境問題的認識不斷增強，電動汽車越來越受到人們的關(guān)注。因此，SiC半導(dǎo)體備受期待。
使用 SiC 半導(dǎo)體具有以下優(yōu)點：
增加續(xù)航里程：更有效地使用電力，增加一次充電可以行駛的距離。
縮短充電時間：實現(xiàn)快速充電并顯著縮短充電時間。
電機的小型化：通過使用SiC半導(dǎo)體，可以實現(xiàn)電機的小型化，有助于整車的輕量化。
SiC半導(dǎo)體安裝在各種類型的車輛中，包括電動汽車、混合動力汽車和插電式混合動力汽車。
【擴展到其他領(lǐng)域】
能源領(lǐng)域：SiC半導(dǎo)體被用于將太陽能、風(fēng)能等可再生能源高效傳輸至電網(wǎng)。 SiC半導(dǎo)體提供穩(wěn)定的發(fā)電電源，有助于提高整個電力系統(tǒng)的效率。
信息通信領(lǐng)域：數(shù)據(jù)中心使用大量服務(wù)器來處理海量數(shù)據(jù)。冷卻這些服務(wù)器需要大量的能源。通過提高功率轉(zhuǎn)換效率，SiC 半導(dǎo)體減少了冷卻所需的能源，有助于數(shù)據(jù)中心的節(jié)能。
SiC半導(dǎo)體的挑戰(zhàn)
SiC功率半導(dǎo)體具有比硅更高的性能，但其成本高是一個問題。造成這種情況的主要原因是SiC晶圓價格昂貴且難以保證長期可靠性。
SiC晶圓的制造成本比硅晶圓高，而且含有許多晶體缺陷，因此可靠性較低。在這些晶體缺陷中，堆垛層錯被認為是長期使用過程中器件性能劣化的主要原因。
當(dāng)電流流過堆垛層錯時，堆垛層錯會擴大，從而增加器件的電阻。這種現(xiàn)象稱為雙極退化，是縮短 SiC 功率半導(dǎo)體壽命的一個因素。
為了解決這個問題，目前正在努力開發(fā)晶體缺陷更少的SiC晶片并改進制造工藝。未來，這些技術(shù)創(chuàng)新有望降低SiC功率半導(dǎo)體的成本，使其應(yīng)用于更廣泛的領(lǐng)域。
