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SOI芯片式高速光开关阵列
四川梓冠光电最新研发SOI芯片式高速光开关阵列，该产品基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换，实现了多通道光开关阵列的单片化集成，芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装，热电混调，数字化驱动，偏振相关性小，插入损耗低。
〖性能指标Specifications〗
参数指标 Parameters
| 单位 Unit | 最小值 Min. | 典型值 Typ.
| 最大值 Max. | 备注 Notes |
波长范围 Wavelength range
| nm | 1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
| |||
消光比 Extinction ratio
| dB | 19 | 20 | 22 | |
插入损耗 Insertion loss | dB | 1.6 | 1.8 | 2.0 | |
回波损耗 Return loss | dB | 40 | 50 | ||
偏振相关损耗 PDL | dB | 0.3 | 0.5 | ||
驱动电压 drive voltage | V | 0.9 | 1 | 1.2 | @300ns |
驱动电流 drive current
| mA | 6 | 7 | 9 | @300ns |
芯片级响应时间 Response Time | ns | 30 | 300 | ||
热调功耗 Thermal tuning power consumption | mW | 30 | 50 | ||
通道数 number of channels | 8—16或可定制 8—16 or Can be customized | ||||
光功率 Transmission optical power | mW | 80 | |||
工作温度范围 Operating temperature range | °C | -20 | 50 | ||
工作湿度范围 Operating humidity range | % | +65 | |||
芯片尺寸 Chip Dimensions | mm | 20(L)×2.5 (W)×0.5(H) | 或可定制 or can be customized | ||
ZG | 波长 Wavelength | 通道数 Number of channels | 类型 Type |
13=1310nm 15=1550nm | 1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH XX=other | 1=不带热调 1=Without temperature regulating thermistor 2=带热调 2=With temperature regulating thermistor XX=other |
梓冠光电自成立以来，持续投入研发，吸纳通信行业技术人才，其中博士占比人数5.7%，本科占比人数22.8%。公司产品日渐邹于多元化，不仅拥有行业水平的光开关、光衰减器、光纤延迟线、偏振控制、MEMS器件、高速光探测器、硅基高速器件、脉冲光纤激光器、飞秒光纤激光器、半导体激光器及光路?；ど璞福∣XC）等产品，公司还为激光雷达系统、量子通讯系统、激光聚变成像传输系统等提供核心的高精端光器件，其中光纤延迟器、光开关、光衰减器系列为核心技术的量产产品，产品技术获得多项认证，其中发明6项，外观，软著，实用性等共16项
SOI 纳秒光开关芯片阵列
SOI 纳秒光开关芯片阵列
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