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可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此功率,因元件開關損可控硅的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內...
IGBT發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的,特別是發(fā)展高壓變頻器的應用,簡化其主電路,減少使用器件,提高可靠性,降低制造成本,簡化...
IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關電源等。問世有十年多歷史...
在供電系統(tǒng)中,MOS管的主要作用的是穩(wěn)壓。MOS管芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護、...
MOS管導通特性,導通的意義是作為開關,相當于開關閉合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會導通,適宜用于源極接地時的情況(低端驅動),只需柵極電壓抵達4V或...
MOS場效應晶體管通常簡稱為場效應管,是一種應用場效應原理工作的半導體器件。和普通雙極型晶體管相比擬,場效應管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集...
MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導體(Semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(Insulator)—半導體。MOS...
MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導體型場效...
MOS具有以下特點:開關速度快、高頻率性能好、輸入阻抗高、驅動功率小、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、無二次擊穿問題、全工作區(qū)寬、工作線性度高等。其最重要的有點就是能夠減少體積大...
mos管在電路中一般用作電子開關,在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路,漏極原封不動地接負載,叫開路漏極,開路漏極電路中不管負載接多高的電壓,都能夠接通和關斷...
SKiiP 的關鍵特性:集成驅動、功率模塊和散熱器、集成溫度測量、集成精準的電流傳感器、集成直流母線監(jiān)測、SKiiP4包含可配置和讀取的CAN總線、100%免焊...
SKiiP產(chǎn)品特點是:4合1:功率IPM驅動器、功率半導體、高精度電流傳感器和高性能冷卻風冷或水冷(HPC);采用了燒結技術,功率循環(huán)能力提高了2-3倍(SKi...
SKiiP*功率范圍0.5至6MW的風力發(fā)電機的特定要求。除了風力發(fā)電應用外,SKiiP模塊還可用于電梯、太陽能和軌道交通應用——事實上,動力強勁且安全可靠的I...
SKiiP IPM產(chǎn)品系列為高性能和穩(wěn)健的逆變器設計樹立了一個基準。SKiiP 3和SKiiP 4都具有高功率密度,結合靈活的冷卻選項,如風冷和水冷卻或定制的散...
得益于銀燒結和高性能冷卻器技術,SKiiP提高了對苛刻的電源循環(huán)條件的可靠性。與傳統(tǒng)的焊接方法相比,燒結技術延長了工作壽命,提高了對主動和被動熱循環(huán)的彈性。SK...
IGBT 在開通過程中,大部分時間是作為MOSFET 來運行的,只是在漏源電壓Uds 下降過程后期, PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,又增加了一段延遲時間。td(...
賽米控提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊,支持不同的拓撲結構、額定電流和電壓。這些IGBT模...
IGBT動態(tài)特性是 :IGBT 在開通過程中,大部分時間是作為MOSFET 來運行的,只是在漏源電壓Uds 下降過程后期, PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,又增加...
IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子裝置的“CPU",作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。I...
西門康IGBT驅動板 包括三大類:Driver驅動板、Driver Core驅動芯、Adaptor Board適配板,適于驅動600V、1200V、1700V三...
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