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可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關損可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內...

IGBT發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的，特別是發(fā)展高壓變頻器的應用，簡化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡化...

IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關電源等。問世有十年多歷史...

在供電系統(tǒng)中，MOS管的主要作用的是穩(wěn)壓。MOS管芯片在制作完成之后，需要給MOSFET芯片加上一個外殼，即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護、...

MOS管導通特性，導通的意義是作為開關，相當于開關閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適宜用于源極接地時的情況（低端驅動），只需柵極電壓抵達4V或...

MOS場效應晶體管通常簡稱為場效應管，是一種應用場效應原理工作的半導體器件。和普通雙極型晶體管相比擬，場效應管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集...

MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導體(Semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(Insulator)—半導體。MOS...

MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導體型場效...

MOS具有以下特點：開關速度快、高頻率性能好、輸入阻抗高、驅動功率小、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、無二次擊穿問題、全工作區(qū)寬、工作線性度高等。其最重要的有點就是能夠減少體積大...

mos管在電路中一般用作電子開關，在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路，漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關斷...

SKiiP 的關鍵特性:集成驅動、功率模塊和散熱器、集成溫度測量、集成精準的電流傳感器、集成直流母線監(jiān)測、SKiiP4包含可配置和讀取的CAN總線、100%免焊...

SKiiP產(chǎn)品特點是：4合1：功率IPM驅動器、功率半導體、高精度電流傳感器和高性能冷卻風冷或水冷（HPC）；采用了燒結技術，功率循環(huán)能力提高了2-3倍(SKi...

SKiiP*功率范圍0.5至6MW的風力發(fā)電機的特定要求。除了風力發(fā)電應用外，SKiiP模塊還可用于電梯、太陽能和軌道交通應用——事實上，動力強勁且安全可靠的I...

SKiiP IPM產(chǎn)品系列為高性能和穩(wěn)健的逆變器設計樹立了一個基準。SKiiP 3和SKiiP 4都具有高功率密度，結合靈活的冷卻選項，如風冷和水冷卻或定制的散...

得益于銀燒結和高性能冷卻器技術，SKiiP提高了對苛刻的電源循環(huán)條件的可靠性。與傳統(tǒng)的焊接方法相比，燒結技術延長了工作壽命，提高了對主動和被動熱循環(huán)的彈性。SK...

IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間。td(...

賽米控提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊，支持不同的拓撲結構、額定電流和電壓。這些IGBT模...

IGBT動態(tài)特性是 ：IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加...

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU"，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。I...

西門康IGBT驅動板 包括三大類：Driver驅動板、Driver Core驅動芯、Adaptor Board適配板，適于驅動600V、1200V、1700V三...