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半橋有三種結構:一種是將兩只二極 管順向串聯,在結點處引出一電極(如 2CQ1 型),另一 種是將兩只二極管背靠背式反極性連接(稱共陰式,如 2CQ2 型);第...

整流橋堆：整流橋堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋。全橋的正向電流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50...

功率模塊 西門康橋式整流器 整流模塊變頻器。整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接，兩只的為半橋，四只的則稱全橋。外部采用絕緣朔料封裝而成，大功率整流橋在...

三相整流電路通常用于大功率場合，相比于單相整流電路，三相整流電路輸出電壓脈動小，低次諧波頻率也比單相整流電路的高。用電感濾波效果好。現貨西門康整流器功率模塊整流...

整流橋由控制器的控制角控制, 當控制角為0°～90°時， 整流橋處于整流狀態, 輸出電壓的平均值為正;當控制角為90°～180&#...

按整流變壓器的類型可以分為傳統的多脈沖變壓整流器和自耦式多脈沖變壓整流器。傳統的多脈沖變壓整流器采用隔離變壓器實現輸入電壓和輸出電壓的隔離，但整流變壓器的等效容...

整流橋一般帶有足夠大的電感性負載， 因此整流橋不出現電流斷續。一般整流橋應用時, 常在其負載端接有平波電抗器, 故可將其負載視為恒流源。多組三相整流橋相互連接，...

橋式整流器將整流電路的所有分支集成在單個緊湊的外殼中。其電流范圍從幾安培到數百安培不等，具有不同的封裝形式。賽米控提供不控、半控、全控的單相或三相拓撲結構的橋式...

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關損可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內...

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關損可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內...

肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納...

除了普通PN結二極管的特性參數之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時對特定中頻所呈現的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間...

除了普通PN結二極管的特性參數之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時對特定中頻所呈現的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間...

肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納...

肖特基（Schottky）二極管的最大特點是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏...

肖特基二極體最大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓最高只到 50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易...

典型的肖特基整流管的內部電路結構是以N型半導體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來消除邊緣區域的...

肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不...

橋式整流是對二極管半波整流的一種改進。橋式整流器對輸入正弦波的利用效率比半波整流高一倍。橋式整流是交流電轉換成直流電的第一個步驟。 需要特別指出的是，二極管作為...

橋式整流器利用四個二極管，兩兩對接。輸入正弦波的正半部分是兩只管導通，得到正的輸出；輸入正弦波的負半部分時，另兩只管導通，由于這兩只管是反接的，所以輸出還是得到...