DDR3 SDRAM
雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通
寫入命令的每字節(jié)數(shù)據(jù)屏蔽
可編程突發(fā)長度為4或8
可編程CAS延遲
自動(dòng)刷新和自刷新模式
OCD（駕駛員調(diào)整）
支持ODT（片上端接）
寫入調(diào)配
長期支持
DDR3 SDRAM
1.5V DDR3 SDRAM
1.35伏DDR3L SDRAM
1.5V DDR3 SDRAM汽車
1.35V DDR3L SDRAM汽車
更多DRAM產(chǎn)品
DDR4 SDRAM
帶ECC的DDR3 SDRAM
1.8V DDR2 SDRAM
2.5V DDR SDRAM
3.3伏SDR SDRAM
EDO和快速頁面模式DRAM
RLDRAM®2/3eMMC：
-錯(cuò)誤空閑內(nèi)存訪問
-安全功能
-縮短上市時(shí)間
-提高了系統(tǒng)性能
-增強(qiáng)模式（pSLC）

UFS：
-低壓差分信號（LVDS）信號。
-具有高速串行接口的高性能
-支持同時(shí)讀寫的全雙工接口。
-低能耗
-可靠的高級物理、鏈路和命令協(xié)議層
-支持高級功能，如深度睡眠、寫入增強(qiáng)、主機(jī)性能增強(qiáng)（HPB2.0）和對主機(jī)的限制通知。

溫度等級：
-工業(yè)溫度等級：-40至+85°C
-自動(dòng)坡度：最高+105°C

ISSI eMMC產(chǎn)品系列提供了理想的嵌入式存儲(chǔ)解決方案
用于汽車、工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用，這些應(yīng)用要求很高
性能、在寬范圍的工作溫度下的耐久性，
以及長期支持。這些產(chǎn)品也在Industrial中提供
在100球BGA和153球BGA中均為汽車級。
eMMC集成了NAND閃存和智能e.MMC
一個(gè)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)封裝內(nèi)的控制器，提供標(biāo)準(zhǔn)
接口到主機(jī)?？刂破髦苯庸芾鞱AND閃存，
實(shí)現(xiàn)諸如壞塊管理、錯(cuò)誤處理（ECC）等功能，
靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗均衡、IOPS優(yōu)化和讀取傳感。
ISSI eMMC設(shè)備支持增強(qiáng)模式，其中設(shè)備可以
被配置為用于更高讀/寫性能的偽SLC（pSLC），
耐久性和可靠性

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ISSI IS31PM3510-ZLS4-TR技術(shù)參數(shù)

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